Gebraucht VARIAN / VEECO GEN II #9190525 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9190525
MBE Growth system
Combination of IV: Si / Ge / Sn
Ports, 2.75"
Chamber 1 (III-V):
Arsenic valved cracker
Indium effusion cell
Gallium effusion cell
Aluminum effusion cell
Ga downward looking source
Silicon effusion cell (5 cc)
Beryllium effusion cell (5 cc)
Chamber 2 (Group IV):
Germanium effusion cell
Silicon e-beam source
Silicon high temperature source
Tin effusion cell
Arsenic valved cracker
Boron dopant source.
Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ist eine Technik, die verwendet wird, um zuverlässige, hochwertige Dünnschichtstrukturen zu schaffen. VARIAN/VEECO GEN II MBE ist ein hochmodernes Werkzeug zur Herstellung von Verbindungshalbleiterbauelementen und -strukturen, wie Multijunction-Solarzellen, Quantenkaskadenlasern und Halbleiterbauelementen für optoelektronische und mikroelektronische Anwendungen. Dieses System setzt auf eine Vakuumkammer, um das Substrat während der Zusammenführung aus den Gasmolekülen zu isolieren. Das Substrat wird auf ein elektronisch beheiztes, als „Zelle“ bezeichnetes Widerstandselement - das typischerweise aus Quarz oder Aluminiumnitrid besteht - aufgebracht. Anschließend werden Quellmaterialien in Partikelstrahlquellen geladen, wo sie gezielt auf Temperaturen oberhalb des Schmelzpunktes dieses Materials erhitzt werden. Beispielsweise würde eine Galliumquelle eine höhere Temperatur als eine Aluminiumquelle benötigen. Um Partikel präzise zu bewegen, verwendet die VEECO GEN II MBE-Einheit eine leistungsstarke Photomikrocontroller-basierte Strahlabtastmaschine. Dieses überwacht Menge, Intensität und Ausbreitung des Partikelstrahls aus dem Ausgangsmaterial und passt dann das Strahlabtastmuster genau an, um eine gleichmäßige Abscheidung auf das Substrat zu gewährleisten. Der Abscheidungsprozess wird durch die Verwendung von hochpräzisen Gaseinspritzdüsen weiter verbessert, wodurch das Gut in der Lage ist, mehrere Schichten aus verschiedenen Materialien ohne Überlappung abzuscheiden. VARIAN GEN II MBE-Modell verfügt auch über eine erweiterte Programmierschnittstelle, die es dem Benutzer ermöglicht, ihre eigenen Abscheideprozesse zu entwerfen, die Durchflussraten anzupassen und die Geräte fernzusteuern. Schließlich umfasst das System eine fortschrittliche Temperaturkontrolleinheit mit der Fähigkeit, Temperaturen zwischen 10 ° C und 1000 ° C mit hoher Genauigkeit und Stabilität zu halten, so dass der Benutzer die Dünnschichteigenschaften genau steuern und eine einheitliche Struktur erreichen kann. Damit ist die GEN II MBE Maschine ein ideales Gerät zur Herstellung fortschrittlicher Dünnschichtstrukturen.
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