Gebraucht VG SEMICON / OXFORD V90 #9200463 zu verkaufen

VG SEMICON/OXFORD V90 ist eine Molekularstrahl-Epitaxie-Ausrüstung, die speziell auf die Herstellung von integrierten Schaltungen, optoelektronischen Komponenten und anderen komplexen nanostrukturierten Materialien zugeschnitten ist. Das System ist in der Lage, hohe Wachstumsraten, sehr niedrige Temperaturen und eine präzise Steuerung der Wachstumsparameter. Es ist so gebaut, dass es längeren Betriebszeiten mit minimalem Wartungsaufwand standhält. Die Einheit enthält eine Ultrahochvakuumkammer, eine Quellkammer, eine Probenkammer und eine Strahllinie. Die Ultrahochvakuumkammer ermöglicht die Abscheidung von Metallen und anderen Materialien bei extrem niedrigen Vakuumdrücken im Bereich von 10-9 bis 10-10 Torr. Das Quellkammer-Ende der Maschine ist mit einer Pistole oder Quelle ausgestattet, die das abgelegte Material zerstäubt und dann in die Hauptkammer ausstößt. Die Probenkammer enthält den beheizten Silizium-Wafer, der auf einen Halter unterhalb der Strahllinie aufgesetzt ist und das Targetsubstrat ist. Zur Messung des auf den Probenhalter einfallenden Molekülstrahls wird eine hochspannungsbetriebene Monitorpistole verwendet. Die Position des Halters und der Winkel des Strahls können dann genau eingestellt werden, wodurch eine gleichmäßige Abdeckung über der Oberfläche der Probe gewährleistet ist. Der Strahl wird dann durch eine Reihe von Leitblechen abgeschwächt, die die Wachstumsrate des abzuscheidenden Materials optimieren. Das Werkzeug ist auch in der Lage, Strukturen mit hohem Seitenverhältnis zu schaffen, einschließlich Vias und verschiedene andere Strukturen, die für die Herstellung von fortschrittlichen Schaltungen und optoelektronischen Komponenten wichtig sind. Dies wird durch drei verschiedene Wachstumstechniken erreicht: Layer Transfer, modulierte Epitaxie und Atomic Layer Deposition. Schichtübertragung beinhaltet die Übertragung von Schichten vom Wachstumssubstrat auf das zu strukturierende Substrat. Dies geschieht durch Anlegen eines lokalen elektrischen Feldes, das das Material vom Wachstumssubstrat auf das Zielsubstrat hebt. Modulierte Epitaxie stellt sicher, dass jede Schicht aus einzelnen Atomen besteht, wodurch abstoßende Kräfte eliminiert werden, die normalerweise zwischen Atomen desselben Typs auftreten würden. Schließlich beinhaltet Atomic Layer Depposition die Abscheidung von Atomschichten einzeln, um komplexe Strukturen aufzubauen. OXFORD V90 ersetzt herkömmliche Silizium-Wachstumsmethoden und ermöglicht die Herstellung komplexerer elektronischer Komponenten und Strukturen mit größerer Kontrolle über Parameter wie Wachstumsrate, Temperatur und Zusammensetzung. Durch den Einsatz von VG SEMICON V90 können Anwender auch die Kosten für die Herstellung nanopatternder Materialien senken und den Zeitaufwand für die Herstellung komplizierter Strukturen reduzieren.