Gebraucht AIXTRON 2800 G4 HT #9194705 zu verkaufen

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Hersteller
AIXTRON
Modell
2800 G4 HT
ID: 9194705
Weinlese: 2010
MOCVD Systems Configuration: GMS Constant temperature MO sources (2 RM25 & 5 RM6) Run / Vent pressure difference balance In-MO source density monitor (3) NH3 Configuration H2 & N2 Testing equipment Monitoring system: EpicurveTT: Wafer curvature monitoring Photrix: Wafer surface temperature monitoring Optrics: Ceiling temperature monitoring Rotation and satellite rotation: Main rotation: Motor controller Satellite rotation: Gas drive and single controller Reaction chamber information: 11 x 4’’ Structure Fixed heating coil Water cooling triple injector Injector purge Controller: PLC: Controller logix from AB SCS from AIXTRON 2010 vintage.
AIXTRON 2800 G4 HT ist ein leistungsstarker und effizienter CVD-Reaktor, der mit den neuesten Fortschritten auf dem Gebiet ausgestattet ist. Dieser Reaktor bietet zuverlässige Leistung und Produktivität und kann in einer Vielzahl von Materialien und Anwendungen eingesetzt werden. Es eignet sich zur Verarbeitung einer Vielzahl von Materialien wie Graphen, Nanodrähten, Nanoröhren, Halbleitern und dünnen Verbundfilmen. Der Reaktor wird von einer einzigartigen Nanofabrikationstechnologie angetrieben, die maximale Präzision und Kontrolle bietet. Es verfügt über ein mehrschichtiges Deckelsystem, eine segmentierte kalte Wand, einen PC-gesteuerten Gaskasten und einen Heißkanten-Quell-Endstecker. Diese Kombination von Eigenschaften ermöglicht schnelle, wiederholbare und gleichmäßige Materialschichten und macht es ideal für die Forschung und Entwicklung innovativer Technologien. AIXTRON 2800G4 HT ist mit einem hohen Temperaturbereich von bis zu 1200 ° C konstruiert, was eine schnellere Prozesszykluszeit und einen höheren Durchsatz als andere CVD-Reaktoren auf dem Markt ermöglicht. Dies wird durch einen proprietären Aufbau mit Luftansaug- und Abgaskanälen für die Abscheidekammer, einen beheizten Endstopfen und einen konditionierten Gaskasten erreicht. Der Gaskasten ermöglicht eine genaue Temperaturregelung und schnelle Reaktionsgeschwindigkeit durch eine kontrollierte inerte Atmosphäre. Darüber hinaus wird die gleiche Kammer für verschiedene Substrate verwendet und ermöglicht einen schnellen und einfachen Austausch von Substraten. Das Deckelsystem erleichtert die Abscheidung bei möglichst hohen Temperaturen und gewährleistet eine hervorragende Wiederholbarkeit und Gleichmäßigkeit. Der Deckel selbst ist in zwei oder mehr Teile segmentiert und jede Schicht wird zur präzisen Temperaturregelung separat erhitzt. Der Heißkantenquellen-Endstecker ermöglicht eine effiziente Materialverteilung und eine gleichmäßigere Abscheidung auf der Substratoberfläche. All diese Eigenschaften machen 2800 G4 HT zum fortschrittlichsten CVD-Reaktor auf dem Markt. Es bietet eine optimale Plattform für Forschungs- und Entwicklungsteams, um die Herstellung von dünnen Schichten, Nanostrukturen und anderen Materialien mit beispielloser Qualität und Präzision zu erleichtern.
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