Gebraucht AIXTRON Tricent #9190702 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9190702
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2008
Atomic layer deposition system, 12"
Frame:
Tricent ALD Process cluster oxide
Gas mixing system
Precurson liquid delivery system
ALD Reactor
Vacuum and cooling systems
(2) Tricent ALD Heat exchangers: 220°C
Automatic wafer transfer system
Tricent ALD double O-ring pump
Options:
Tricent ALD Ozone generator for 2 PMs
Tricent ALD set of precursor tanks for vaporizer for 2 PM's
Automatic wafer transfer system:
Fully automated cassette-to-cassette wafer loading and unloading
Configurations: 25 x 300 mm
(3) FOUP loading ports
Loadlock A: Batch 25 x 300 mm
Loadlock B: Batch 25 x 300 mm
Vacuum handling platform: 4 MESC-type process modules
Wafer handling platform includes:
Front end atmospheric module
Front end atmospheric robot
Vacuum transport chamber and frame
MagnaTran magnetically driven
Fully encapsulated vacuum robot
Transfer arm with high temperature end effector
Wafer alignment module
Tricent ALD O-Ring pump:
PM1/PM2 Tricent ALD Process cluster oxide: (2) Deposition modules
Each PM:
Gas mixing system
Ventilated gas mixing cabinet
Electro-polished 316 SUS tubing
VCR-Connectors all orbital welded
Individual control valves:
Pressure indicator switch
Check valves
Particle filters
Pneumatic valves
Gas line:
Reactive gas line: 03 including Destruct
Purge gas line: Ar
High-Flow / Low-Flow purge configuration
Electronic flow controllers and pneumatic valves for various purge lines
Individual pneumatic valves for reactive gas line
Individual downstream pressure controls with electronic mass flow meters for:
(3) reactive gas line and various purge lines
ALD valve block with high-speed switching
ALD valves for reactive gas and various purge lines
ALD valve block temperature-controlled and adapted to reactor lid
Safety configuration: Normally closed
Precursor liquid delivery system:
(2) Liquid precursor lines
Electronic mass flow controller
Pressure controller
Pneumatic valve for solvent line
Liquid flow meters
3-position liquid medium valves for each precursor line
Individual manual separation valves
Electronic mass flow controller
Pressure controller
Pneumatic valve for solvent line
Optional: precursor and solvent tanks
(1) Mist preparator wand, 1.8 liter nominal volume
Single-Injector Tri-Jet liquid precursor evaporation systems:
(2) Contact-less cylinder evaporators
Individually controlled temperature range: 40 C - 250 C
High precision injectors for the liquid precursor lines
Joint Pre-heated carrier gas line
Temperature controlled: 40 C - 230 C
Spare provision: He purge line
Joint run-vent-purge stack
Temperature controlled: 40°C - 230°C
Separate precursor box with room temperature bubbler
Ventilated enclosure with Nitrogen purge line
Smoke detector and ventilation flow sensor integrated in Precursor Box
Single room temperature bubbler for high vapor pressure precursors with TMA
Control valve with pressure indicator switch
Particle filter
Downstream pressure control with electronic mass flow meter
Dual 2/2 way valve for carrier line
Single joint run line with ALD valve
ALD reactor:
Reactor cabinet
Hot wall aluminum reactor chamber, max 220°C.
Showerhead with separation between reactive gas and metal-organic precursor flows
Reactor walls, reactor lid, and showerhead assembly temperature controlled by heat exchanger with thermal liquid
Thermal liquid
Aluminum nitride substrate heater
Closed-loop temperature controlled resistive heater
Wafer transfer lift pin mechanism with vertically movable substrate heater assembly.
Wafer transfer MESC port with pneumatic slit valves
Vacuum system:
Pressure sensors and pressure controllers
Designed for process pressure: up to 10 mbar
Heated exhaust line up to outlet flange on the process module
Throttle valve and check valves
Cooling system:
Type: Julabo
Digital flow meters, temperature transmitters, and manual separator valves for each cooling branch.
Tricent ALD Heat exchanger
One per module required for system operation
For operation with thermal liquid (Thermal H 250)
Maximum operating temperature 220°C.
2008 vintage.
AIXTRON Tricent ist ein Hochleistungs-Induktiv-gekoppelter Plasma (ICP) -Reaktor, der für die Abscheidung verschiedener Materialien wie III-V, Verbundhalbleiter, Dielektrikum und Metallschichten auf Substraten jeder Größe entwickelt wurde. Es handelt sich um eine Niederdruck-Gleichstrom (DC) -betriebene Gasströmungsquelle, die mit 8-20 mbar mit einer gepulsten direkten Frequenz von 15kHz und einer Leistungsübertragungsfähigkeit von bis zu 600 W betrieben wird. Tricent weist eine vollständig geschlossene Reaktionskammer auf, die einen optimierten Raum für eine effiziente und gleichmäßige Abscheidung der gewünschten Schichten auf den Substraten bietet. Sein zweifrequenter HF-Generator und Magnetfeldgenerator sind in der Lage, in einem weiten Frequenzbereich zu arbeiten und präzise Prozessbedingungen zu simulieren. Das System ist mit einer vakuumdichtbaren Abdeckung, einem Heißgasventil und einer flexiblen elektrischen Verbindung ausgestattet, während der Substrathalter zum Abstützen und Halten von Substraten unterschiedlicher Größe und Form ausgelegt ist. AIXTRON Tricent ist hocheffizient in Schichtabscheidungsprozessen, da es in der Lage ist, eine hohe Abscheidungsrate und Gesamtfilmgleichförmigkeit zu erreichen. Sein temperaturgesteuerter Substrathalter sorgt für eine gleichmäßige Verteilung der Energie innerhalb der Kammer, um eine ausgezeichnete Prozessgleichförmigkeit über das gesamte Substrat zu gewährleisten. Das interne Design von Tricent umfasst auch Funktionen wie schnelles Gasschalten, vereinfachte Wartungsroutinen und verbesserte Reinigungs- und Kühlfunktionen, die eine hohe Reproduzierbarkeit und Langzeitstabilität bei Ätz- und Abscheidungsprozessen bieten. Darüber hinaus ist AIXTRON Tricent für die einfache Integration in bestehende Produktionslinien konzipiert, indem es eine kostengünstige Lösung für Automatisierungs- und Überwachungsanforderungen bietet. Es ist voll kompatibel mit AIXTRON Partikeldetektions- und Gasmessanlagen. Dieser fortschrittliche Reaktor bietet zuverlässige und einfach zu bedienende Funktionalitäten zur Erzeugung fortschrittlicher Materialien, zur Reduzierung der Funktionsgröße und zur Verbesserung der Prozessgleichförmigkeit.
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