Gebraucht MAGNETRON Sputtering #194492 zu verkaufen

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Hersteller
MAGNETRON
Modell
Sputtering
ID: 194492
Wafergröße: 4"-6"
Weinlese: 2010
Sputtering system, 4"-6" In‐line 3‐target system Process variables can be monitored via ZR-RX40 (2) PSICM DC Sputter power supplies ATOVAC GVC2200 Vacuum gauge controller and gauges MKS 600 Series pressure controller NOVA series ST580 Digital temperature KODIVAC 340 Rotary pump Main system: (2) Chambers: Sample chamber Main chamber Chamber size: Main chamber: 3.5"x ~7" Sample chamber: 2.5" x 3.5" Control rack: 2" x 3" Roughing pump: 2" x 2" Sputter chamber: ~7" wide and 1.5" height Carrier slider: 1" Length Al plate Gate valve chamber: 1.5" Length Sputter gun section: (3) Guns Lamp heater Sputter target size: 300 mm x 100 mm Installed target: Mo, Cu-Ga, In Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum Transport: Automatic motor driven Vacuum system: KODIVAC 1600K Rotary pump GENESIS ICP 250L Cryo pump Automatic vacuum / Process control with LED display Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005 Sputter system: Sputter power supply: (2) 2 kW PSTEK DC Power supplies (4) Gas flow controls: SEAHWA KRO-4000 KOFLOC 3665 SEC 7440 Substrate motion control: LED Panel display with speed controller Manuals included 2010 vintage.
MAGNETRON Sputtering ist eine fortschrittliche, modernste Technologie, die zum Abscheiden dünner Filme aus einer Vielzahl von Materialien verwendet wird. Es funktioniert, indem ein elektrisches Feld verwendet wird, um energiereiche positive Ionen eines Plasmas in ein Zielmaterial zu erzeugen. Die Ionen werden auf eine hohe Geschwindigkeit beschleunigt und treffen auf das Zielmaterial, wodurch Atome des Zielmaterials von der Oberfläche freigesetzt werden. Diese Atome werden dann auf ein Substrat übertragen, das auf die andere Seite der Vakuumkammer gelegt wird. Durch dieses Übertragungsverfahren kann ein dünner Film mit einer gleichmäßigen Dicke bei ausgezeichneter Glätte und guter Haftung auf dem Substrat abgeschieden werden. Der Vorteil von Sputtering besteht darin, dass das elektrische Feld in eine bestimmte Richtung gerichtet ist und verhindern kann, dass andere Ionen als die vom Target auf das Substrat gesputtert werden. Dies hat zur Folge, daß der hergestellte dünne Film sauber und frei von Verunreinigungen ist. Es kann auch Filme mit einer viel höheren Dichte herstellen, als mit anderen Abscheidungstechniken erreicht werden kann. Ein weiterer Vorteil dieser Technologie ist, dass sie sehr effizient ist und dünne Filme mit sehr geringem Energieverbrauch abscheiden kann. Dies ist auf das verwendete elektrische Feld zurückzuführen, da es so gerichtet werden kann, dass die geringste Menge an Energie verwendet wird, um das benötigte Plasma zu erzeugen. Schließlich führt die Tatsache, dass MAGNETRON Sputtering ein physikalischer Prozess ist, zu weniger Verunreinigungen im Vergleich zur chemischen Dampfabscheidung. Der Prozess des Sputterns ist in drei Hauptstufen unterteilt. Zunächst muß in der Sputterkammer eine Vakuumumgebung geschaffen und das Sputtertarget innerhalb der Kammer platziert werden. Zweitens wird ein negatives elektrisches Potential an das Sputter-Target angelegt und ein Hochleistungs-Hochfrequenzgenerator (RF) verwendet, um ein Hochtemperaturplasma innerhalb der Kammer zu induzieren. Schließlich dient der HF-Generator zur Steuerung der Geschwindigkeit, mit der die aus dem Zielmaterial freigesetzten Atome auf das Substrat abgeschieden werden. Durch Variation der Vorspannung und der HF-Leistung kann die erforderliche Abscheidungsmenge eingestellt werden. Die Energie der erzeugten Ionen kann auch durch Änderung der Spannung der Sputterpistole verändert werden, was ein wichtiges Merkmal bei der Steuerung ist, wo die Atome des Zielmaterials abgeschieden werden. Abschließend ist MAGNETRON Sputtering eine leistungsstarke und vielseitige Technik, mit der dünne Filme aus verschiedenen Materialien mit sehr hoher Genauigkeit abgeschieden werden können. Es ist ein sehr effizientes und wirtschaftliches Verfahren mit minimalem Abfall und ist in der Lage, hervorragende Haftung und glatte Oberflächen für dünne Filme zu erzeugen.
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