Gebraucht MRC / TEL / TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV #9199385 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9199385
Wafergröße: 6"
Sputtering system, 6"
Not included: Pumps
SPUT Process chambers:
SPUT1:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: RMX
C/S Spacing: 2.0"
Adapter type: Profiled
Target material: TiW
Shield material: Plasma spray
(2) Pie pan shields
Gas ring
Reactive gas: No
Regas injection: Rear
Argon MFC size: 200 sccm
Backplane type: MXB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT2:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: RMX
C/S Spacing: 2.0"
Adapter type: Profiled
Target material: Ru
Shield material: Plasma spray
(2) Pie pan shields
Gas ring
Reactive gas: No
Regas injection: Rear
Argon MFC size: 200 sccm
Backplane type: MXB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT3:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: SPA
C/S Spacing: 2.5"
Target material: Au or Au/5%Ni
Shield material: SS
(2) Pie pan shields: No
Gas ring: No
Reactive gas: Kr
Regas injection: Rear
Argon MFC Size: 200 sccm
Backplane type: MXB HTB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT4: No
Etch:
Hard/Soft etch type: Soft etch ICP
Adapter type: New style
Quick change kit: No
Shield material: SS
(2) Pie pan shields
SE Adapter shield: No
Gas ring: No
Reactive gas: No
Regas injection: Door
Backplane type: Round
Quick cool type: Water
Variable ICP network: No
RF Bias network: Finger
Fast regen cryo
Bell jar cycle count
Loadlock/Plenum:
Loadlock atmosphere sensor: Old style
Plenum gate valve: Vat
L/L Cryo fast regen
Plenum cryo fast regen
RGA Type: No
Index cycle counter: No
Wafer handling:
Wafer:
Type: Si / SEMI
Tab type: Clamp
Clamp ring material: SS
C/R Edge exclusion: 1.5mm
Latch type: SS Bearing
MFC Vendor: MKS
Equipe/PRI Robot: CE
Equipe/PRI Controller: 100 Series
Index stepper cont. loc: Vacuum tank
Index drive type: Solarus
Aligner type: Equipe/PRI
L/A Latches enabled
SMIF Interface: No
Laminar blower
Facilities/Utilities:
Pump: QDP80
AC Voltage: 208 V
AC Frequency: 60 Hz
PDU Set for 50 Hz: No
208 Buss bar in PDU
GFI in PDU
Cryo compressor type: 9600
Compressor power / Pump power from PDU
Water lines
Currently de-installed.
MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV ist eine Sputter-Deposition-Ausrüstung zur Verarbeitung einer Reihe von Halbleiterstrukturen und -bauelementen nach hohen Standards. Mit seiner verbesserten mehrachsigen Bewegungs- und Abscheidekammertechnologie bietet MRC Eclipse Mark IV eine höhere Produktqualität und einen erhöhten Durchsatz für die Halbleiterherstellung. TEL Eclipse Mark IV verwendet zwei verschiedene Arten von Sputterablagerungen. Das erste ist das DCSP (Direct Current Sputtering), das zum Sputterätzen verwendet wird. Es verwendet eine Gleichstromquelle, um Ionen zu erzeugen, die die Substratoberfläche bombardieren, Material entfernen und auf dem Substrat abscheiden, wie gewünscht. Dieses Verfahren eignet sich insbesondere zum Präzisionsätzen. Das zweite ist High-Rate Unbalanced Magnetron Sputtering (HRuMS), das zur Sputterabscheidung verwendet wird. Diese Technik nutzt ein in einer Vakuumkammer erzeugtes hochenergetisches Plasma, um Material auf dem Substrat zu ionisieren und abzuscheiden. Das Magnetron, ein Elektromagnet, wird verwendet, um das Plasma zu formen und zu fokussieren, um höhere Abscheidungsraten als herkömmliche Sputterabscheidungstechniken zu erreichen. Eclipse Mark IV verfügt auch über fortschrittliche Bewegungstechnologie. Die Automatisierung der Bewegung gewährleistet eine genaue Zuführung von Substraten und Materialien zur Kammer. Das System sorgt auch für hohe Genauigkeit und Wiederholbarkeit bei der Platzierung und Montage der Substrate. Darüber hinaus verwendet die Einheit eine Regelmaschine, um die Bewegung der Abscheidekammer genau zu steuern und sicherzustellen, dass sich alle Komponenten reibungslos und genau in exakte Positionen bewegen. TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV bietet ein präzises und flexibles Substratheizwerkzeug, das einen Temperaturbereich von 20 ° -400 ° C ermöglicht. Die Anlage wurde entwickelt, um eine maximale thermische Gleichmäßigkeit zu gewährleisten und ist mit einer Heizplatte und einem Kühlkörper ausgestattet. Dieses Heizmodell bietet eine breite Palette von zu verarbeitenden Substratgrößen und -formen. MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV verwendet fortschrittliche Vakuumsteuertechnologie, um konsistente und saubere Verarbeitungsbedingungen für jeden Auftrag zu erhalten. Das Gerät ist so konzipiert, dass es eine konsistente Atmosphäre mit einem maximalen Kammerdruck von 6 Torr bietet. Darüber hinaus verfügt das System über eine CryoDiode-Beschichtung, um die Verschmutzung von Einheiten zu minimieren. Diese Beschichtung kann auch in situ mit einem Sauerstoffmonitor überwacht werden. Darüber hinaus ist eine druckausgeglichene automatische Substratdusche für eine effiziente Substratverarbeitung enthalten. MRC Eclipse Mark IV von MRC bietet fortschrittliche Abscheide-, Bewegungs-, Heiz- und Vakuumsteuertechnologien zur Herstellung von Halbleiterstrukturen und -bauelementen nach hohen Standards. Es bietet eine höhere Produktqualität und einen höheren Durchsatz im Vergleich zu herkömmlichen Abscheidungssystemen und ist eine ideale Wahl für die Halbleiterherstellung.
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