Gebraucht CENTROTHERM Parallel plate for Silicon nitride deposition system #293669093 zu verkaufen

CENTROTHERM Parallel plate for Silicon nitride deposition system
ID: 293669093
Size: M2.
CENTROTHERM Parallelplatte für Siliziumnitrid Abscheidung Ausrüstung ist ein Diffusionsofen und Zubehörsystem entwickelt, um eine Reihe von Halbleiteranwendungen zu adressieren. Der Diffusionsofen ermöglicht eine gleichmäßige Wärmebehandlung und gleichmäßige Beschichtung von Siliziumnitrid mit Hilfe eines Sublimators, der mit zwei parallelen Platten ausgelegt ist. Die Einheit ist für eine einzige konische Konstruktion für die Bodenkammern ausgelegt, die in den Körper der Maschine passt. Die obere Kammer ist aus hochtemperaturbeständigem Material aufgebaut und bietet eine Vakuumplatte, die zwei parallele Platten aufnimmt. Ferner ist eine extern gesteuerte Inertgaszufuhr vorgesehen, die zur Steuerung des Sublimationsprozesses beiträgt, eine genaue Kontrolle der Konzentration der Nitridsilikatmoleküle ermöglicht und eine Überdotierung des Substrats verhindert. Das Werkzeug verfügt außerdem über ein patentiertes Hot-Zone-Design, das eine verbesserte Temperaturgleichmäßigkeit über den beheizten Bereich bietet. Die symmetrische Heizquelle schafft einen konsistenten Temperaturbereich, der auch einfach einzustellen und zu steuern ist. Darüber hinaus bietet die Anlage auch eine hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit über die gesamte beheizte Fläche. Das Modell eignet sich sowohl für die Entwicklung als auch für die Herstellung von Siliziumnitrid-Produkten. Für die Produktentwicklung verfügt die Anlage über eine Reihe konventioneller und fortschrittlicher Hot-Wafer-Verarbeitungsmethoden. Dazu gehören Abscheideverfahren wie Atomschichtabscheidung (ALD) und chemische Dampfabscheidung (CVD) sowie Glühen, Ätzen und Metallkontaktbildung. Parallelplatte für Siliziumnitrid-Abscheidungssystem ist sehr kompatibel mit einer Reihe von Materialien und Substraten. Je nach Anwendungsfall können unterschiedliche Beschichtungsmaterialien wie DLC, LPCVD und PECVD-Silan verwendet werden. Darüber hinaus ist das Gerät auch mit Metallen, Glas, Keramik und Kunststoffen kompatibel. Die Maschine ist auch mit einer einzigartigen Ausschlusszone innerhalb der oberen Kammer entworfen, die hilft, die Chance der SiNx Moleküle schlagen die Wände zu reduzieren und eine Blockade zu schaffen. Ein einfach zu bedienender Touchscreen-Controller ist vorgesehen, der die Bedienung und Überwachung aller Werkzeugelemente erleichtert. Die Steuerung bietet auch die Kommunikation mit externen Systemen sowie die Online-Überwachung der Prozessparameter in Echtzeit. Zusammenfassend ist CENTROTHERM Parallel plate for Silicon nitrid deposition asset ein vielseitiges und effizientes Modell für eine Reihe von Halbleiteranwendungen. Dank seiner fortschrittlichen Eigenschaften und Kompatibilität mit einer Reihe von Materialien und Substraten bietet die Anlage eine effiziente und gleichmäßige Diffusionsverarbeitung von Siliziumnitrid-Molekülen.
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