Gebraucht KOKUSAI DD-813V #293622162 zu verkaufen

KOKUSAI DD-813V ist ein Diffusionsofen, eine spezialisierte Prozessausrüstung für Doping, Glühen und Aktivierung von Silizium-Wafern. DD-813V verfügt über die neueste innovative Technologie und bietet hervorragende Qualität und Leistung für die thermische Verarbeitung von Quarz- und Siliziumwafern. Es kann bis zu 1000 ° C mit Quarz oder bis zu 1350 ° C mit einer optionalen Graphitkammer erwärmen. Auch KOKUSAI DD-813V kann bequem in zwei 650mmx4-Zoll-Wafer sowie einen 8-Zoll-Wafer passen. Das digitale Bedienfeld und das Touchscreen-Steuersystem machen es einfach, Temperaturen anzupassen, Zeiten zu überwachen und auf verschiedene Programme zuzugreifen. Die Maschine ist mit Hochleistungs-Helium- oder Stickstoffgasstrom ausgestattet und nutzt Hochgeschwindigkeits-Gasdiffusion, um das Gas gleichmäßig über das Ziel zu verteilen. Dies gewährleistet Gleichmäßigkeit und Konsistenz im hochreinen Glasätzprozess. Innen von DD-813V ist mit einer mehrstufigen Oberflächenheizung ausgestattet, die bei Temperatureinstellung und Temperaturgleichförmigkeit hilft. Dies wird mit vier Pyrolytic Bornitrid (PBN) isolierten Zylindern kombiniert, die gleichmäßig Wärme auf die Probe verteilen. Es hilft auch bei der Einstellung hoher Temperaturen bei gleichzeitiger Gewährleistung der Genauigkeit der Verarbeitung. Um die Sicherheit im Betrieb zu gewährleisten, ist KOKUSAI DD-813V mit einem Kühlkasten-Gasheizungsschutzsystem ausgestattet. Dadurch soll ein Hitzestau verhindert werden, der zu Probenschäden führen kann. DD-813V verfügt auch über einen Hochleistungs-Oxidationssensor, der bei der Überwachung der dünnen Oxidschicht auf dem Wafer hilft. KOKUSAI DD-813V ist ein bequemer und multifunktionaler Diffusionsofen mit ausgezeichneter Genauigkeit und Präzision. Es ist für eine sichere, schnelle und wirtschaftliche thermische Verarbeitung von Quarz- und Siliziumscheiben konzipiert, so dass es ideal für die Halbleiterherstellung ist. Daher ist DD-813V die ideale Wahl für die thermische Verarbeitung von Halbleitermaterialien.