Gebraucht KOKUSAI DD-835V #293774755 zu verkaufen
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ID: 293774755
Weinlese: 1996
Vertical furnace
Gas box
Heater
Gas pipes
Accessories
1996 vintage.
KOKUSAI DD-835V ist ein hochmoderner vertikaler Diffusionsofen, der den anspruchsvollen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht wird. Dieser fortschrittliche Ofen kombiniert Präzisionstechnik mit innovativer Technologie, um außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit für die Verarbeitung von Wafern in der Halbleiterherstellung zu bieten. DD-835V ist Teil von KOKUSAI renommierten Linie von vertikalen Diffusionsöfen, bekannt für ihre überlegene Qualität und unübertroffene Fähigkeiten in der Industrie. KOKUSAI DD-835V verfügt über ein vertikales Quarzrohr-Design, das eine effiziente Wärmeübertragung und gleichmäßige Temperaturverteilung über die Waferoberfläche ermöglicht. Dieses Design minimiert auch den Wafer-Verzug und sorgt für eine konsistente Filmabscheidung, die für die Erzielung hochwertiger Ergebnisse in der Halbleiterherstellung entscheidend ist. Die vertikale Ausrichtung des Rohres optimiert die Nutzung des Arbeitsraums und ermöglicht eine effiziente Bearbeitung mehrerer Wafer gleichzeitig, wodurch der Durchsatz des Ofens erhöht wird. Eines der wichtigsten Highlights von DD-835V ist seine fortschrittliche Heizausrüstung, die Hochleistungs-Quarz-Infrarotlampen verwendet, um eine präzise Temperaturregelung und schnelle Hoch- und Abklinggeschwindigkeiten zu bieten. Dies ermöglicht schnelle Zykluszeiten und eine effiziente Verarbeitung von Wafern, was zu einer erhöhten Produktivität und verbesserten Prozesswiederholbarkeit führt. Das Heizsystem ist voll programmierbar und bietet eine breite Palette von Temperatureinstellungen, um verschiedenen thermischen Verarbeitungsanforderungen gerecht zu werden. Zusätzlich zu seinen überlegenen Heizfähigkeiten ist KOKUSAI DD-835V mit einer fortschrittlichen Gasfördereinheit ausgestattet, die eine genaue und stabile Kontrolle der Prozessatmosphäre im Ofen gewährleistet. Die Maschine verfügt über präzise Massendurchflussregler und Gasmischfähigkeiten, um genaue Gasverhältnisse und Durchflussraten zu erreichen, die für die Steuerung der Dotierung und Oxidation der Waferoberflächen wesentlich sind. Diese Steuerung ermöglicht es dem Ofen, eine breite Palette von thermischen Prozessen durchzuführen, einschließlich Oxidation, Diffusion und Glühen, mit ausgezeichneter Wiederholbarkeit und Gleichmäßigkeit. DD-835V verfügt außerdem über ein ausgeklügeltes Wafer-Handhabungswerkzeug, das ein einfaches Be- und Entladen von Wafern ermöglicht, wodurch das Risiko von Kontaminationen und Beschädigungen während der Verarbeitung minimiert wird. Das Asset kann eine Vielzahl von Wafergrößen und -dicken aufnehmen und ist somit für verschiedene Halbleiteranwendungen vielseitig einsetzbar. Darüber hinaus ist der Ofen mit fortschrittlichen Sicherheitsmerkmalen wie Verriegelungen und Alarmen ausgestattet, um den Schutz der Bediener zu gewährleisten und Unfälle während des Betriebs zu verhindern. Darüber hinaus wird KOKUSAI DD-835V durch eine benutzerfreundliche Oberfläche unterstützt, die intuitive Steuerungs- und Überwachungsfunktionen für den Ofenbetrieb bietet. Die Schnittstelle ermöglicht es dem Bediener, Prozessrezepte einfach zu programmieren und zu optimieren, Modellparameter in Echtzeit zu überwachen und auf Diagnoseinformationen für die Fehlerbehebung zuzugreifen. Dieses Maß an Kontrolle und Sichtbarkeit hilft, den Betrieb des Ofens zu rationalisieren und seine Leistung zu maximieren, um hochwertige Halbleiterbauelemente zu erreichen. Insgesamt ist DD-835V vertikale Diffusionsofen eine hochmoderne Lösung für Halbleiterhersteller, die nach fortschrittlichen thermischen Verarbeitungsfähigkeiten suchen. Mit seinem innovativen Design, der überlegenen Heizausrüstung, der präzisen Gassteuerung und der benutzerfreundlichen Schnittstelle bietet KOKUSAI DD-835V unübertroffene Leistung, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit für eine breite Palette von Halbleiteranwendungen. Es stellt einen bedeutenden Fortschritt in der vertikalen Diffusionsofentechnologie dar und ist eine ideale Wahl, um präzise und gleichmäßige thermische Verarbeitungsergebnisse in der Halbleiterherstellung zu erzielen.
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