Gebraucht KOKUSAI DJ-853V-8BL J2 #293729523 zu verkaufen

ID: 293729523
Wafergröße: 6"
Weinlese: 2000
Furnace, 6" Paint color: Ivory LC-750 O2 Analyzer Cassette: Normal I/O CX3002B Main controller CX1223 Mechanical controller OMRON CS12G Sequence controller CX3202 Gas controller CQ1600 Furnace temperature controller DN-150V Furnace overtemp detector RIKEN KEIKI GD-D8V Sensor Detecting H2 Gas Host communication Host computer I/F HSMS Gas system: Process gas: N2, H2 FUJIKIN Manual valve FUJIKIN Air-Operated valve MILLIPORE Filter Veriflow regulator MFC STEC / SEC-7330 Nagnano PT Sensor DPM Nagano Cassette handling: (18) Cassette storages (25) Wafer cassettes Fork type: 1+4 VAC Fork wafer presence sensor Fork variable pitch Install option: Gas flow chart panel Operation panel 2000 vintage.
KOKUSAI DJ-853V-8BL J2 Diffusionsofen ist eine hochmoderne thermische Verarbeitungsanlage, die in der Halbleiterindustrie zum Zwecke der Diffusion von Dotierstoffen in Siliziumscheiben eingesetzt wird. Der Diffusionsofen umfasst fortschrittliche Merkmale und Funktionalitäten, die eine präzise Kontrolle des Diffusionsprozesses ermöglichen und eine hohe Effizienz und Wiederholbarkeit in der Halbleiterherstellung gewährleisten. Eine der Schlüsselkomponenten DJ-853V-8BL Diffusionsofens J2 ist das Quarzrohr, das als Kammer dient, in der die Siliziumscheiben für den Diffusionsprozess beladen werden. Das Quarzrohr ist sehr langlebig und kann hohen Temperaturen standhalten, was es ideal für die Aufrechterhaltung einer stabilen thermischen Umgebung während des Diffusionsprozesses macht. Darüber hinaus ist das Quarzrohr für eine gleichmäßige Wärmeverteilung ausgelegt, wodurch konsistente Diffusionsergebnisse über die gesamte Waferoberfläche ermöglicht werden. Der Diffusionsofen ist mit einem Hochtemperaturheizelement aus robusten Materialien ausgestattet, das je nach den spezifischen Anforderungen des Diffusionsprozesses Temperaturen bis zu 1200 ° C oder höher erreichen kann. Das Heizelement ist entscheidend für die Bereitstellung der notwendigen thermischen Energie, um die Diffusion von Dotierstoffen in die Siliziumscheiben zu treiben, so dass der Prozess effizient und effektiv durchgeführt wird. Um die Temperatur im Diffusionsofen zu steuern, verfügt KOKUSAI DJ-853V-8BL J2 über eine ausgeklügelte Temperaturregeleinrichtung mit Präzisionsthermoelementen und Heizgeräten. Das Temperaturregelsystem ermöglicht eine genaue Überwachung und Einstellung des Temperaturprofils des Ofens und gewährleistet, dass der Diffusionsprozess unter optimalen Bedingungen durchgeführt wird. Diese genaue Temperaturregelung ist wesentlich, um das gewünschte Dotierstoffprofil und die Diffusionstiefe in den Siliziumscheiben zu erreichen. Neben der Temperaturregelung ist der Diffusionsofen mit einer Gasfördereinheit ausgestattet, die die Einleitung von Dotierstoffgasen in das Quarzrohr ermöglicht. Die Gasfördermaschine ist so konzipiert, dass sie eine präzise Durchflusskontrolle und Mischung von Dotierstoffgasen gewährleistet und eine gleichmäßige Diffusion von Dotierstoffen über die Waferoberfläche ermöglicht. Dieses Merkmal ist entscheidend für die Erzielung einheitlicher Dotierstoffkonzentrationsprofile und die Minimierung von Schwankungen der Geräteleistung. Darüber hinaus verfügt DJ-853V-8BL Diffusionsofen J2 über ein fortschrittliches Prozesskontrollwerkzeug, mit dem Anwender anspruchsvolle Diffusionsrezepte mit hoher Flexibilität und Anpassung definieren und ausführen können. Die Prozesssteuerungskomponente ermöglicht die präzise Taktung von Gasfluss, Temperaturrampen und anderen Parametern, so dass Benutzer den Diffusionsprozess auf spezifische Anforderungen abstimmen und optimale Ergebnisse erzielen können. Insgesamt ist KOKUSAI DJ-853V-8BL J2 Diffusionsofen eine hochmoderne thermische Verarbeitungsanlage, die fortschrittliche Fähigkeiten zum Diffundieren von Dotierstoffen in Siliziumscheiben mit hoher Präzision und Effizienz bietet. Mit seiner robusten Konstruktion, der präzisen Temperaturregelung, dem Gasfördermodell und den fortschrittlichen Prozesskontrollfunktionen eignet sich der Diffusionsofen gut für anspruchsvolle Halbleiterherstellungsanwendungen, bei denen präzise und wiederholbare Diffusionsprozesse von größter Bedeutung sind.
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