Gebraucht KOKUSAI Quixace II ALD Nitride #9397062 zu verkaufen

KOKUSAI Quixace II ALD Nitrid ist ein Diffusionsofen für eine Vielzahl von Dünnschichtabscheidungs- und Ionenimplantationsprozessen. Es handelt sich um einen Einkammer-Diffusionsofen, der eine überlegene Prozesssteuerung für die Abscheidung von mehrschichtigen dünnen Folien und komplexesten Dotierstoffprofilen bietet. Das Gerät ist in der Lage, bis zu 38 Wafer gleichzeitig zu verarbeiten, Wartezeiten zu vermeiden und den Produktionsdurchsatz zu maximieren. Quixace II ALD Nitrid Diffusionsofen bietet eine Vielzahl von Prozessoptionen. Es ermöglicht eine Kombination aus PECVD- und ALD-Systemen, die es dem Anwender ermöglicht, gewünschtes Material mit höherer Gleichmäßigkeit und größerer Reproduzierbarkeit abzulegen. Das unter Druck stehende System kann eine höhere Abscheiderate liefern, wodurch der Produktionsdurchsatz weiter verbessert werden kann. Die Prozessoptionen umfassen auch Hochtemperaturglühen und HF-Ionen-Implantation, so dass der Benutzer die komplexesten Dotierstoffprofile erstellen kann. KOKUSAI Quixace II ALD Nitrid Diffusionsofen hat automatisierte Prozesssteuerungen für präzise und wiederholbare Ergebnisse. Das Gerät ist für den autonomen Betrieb angepasst, so dass der Benutzer die verschiedenen Prozessparameter sofort ändern und überwachen kann. Es hat auch eine eingebaute Kühlmaschine, die es dem Werkzeug ermöglicht, Hochtemperaturprozesse kontinuierlich zu verarbeiten, ohne dass die Wafer beschädigt werden. Die Flexibilität von Quixace II ALD Nitrid ermöglicht eine optionale Beladung und Integration mit anderen Systemen in eine vollautomatisierte Vakuumverarbeitungslinie. Dies ermöglicht dem Anwender die totale Kontrolle über den Substratproduktionsdurchsatz. KOKUSAI kann auch zusätzliches Zubehör wie einen Roboterarm für das Wafer-Handling sowie Kryopumpen- und mechanische Vakuumpumpen für ein vollautomatisiertes Modell liefern. Insgesamt ist KOKUSAI Quixace II ALD Nitrid Diffusionsofen eine hochentwickelte Ausrüstung zur Herstellung komplexer Dünnschichten und Dotierstoffprofile. Die automatisierte Prozesssteuerung, die Vielzahl an Prozessoptionen und die effiziente Handhabung von Wafern mit hoher Serienproduktion machen es zur perfekten Wahl für Dünnschicht- und Ionenimplantationsanwendungen.