Gebraucht KOKUSAI Quixace II #9355289 zu verkaufen

KOKUSAI Quixace II
ID: 9355289
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2007
Vertical LPCVD furnace, 12" Boron doped poly 2007 vintage.
KOKUSAI Quixace II ist eine hochmoderne kristalline Oxid-Dünnschichtabscheidung. Es handelt sich um einen Diffusionsofen mit einer Reihe von Zubehörteilen, die das Abscheiden und Ätzen von dünnen kristallinen Oxidfilmen auf einer Vielzahl von Substraten mit enger Kontrolle erleichtern. Das System ist mit einer präzisen elektronischen Positioniereinheit, einer Diffusionsquelle, einem Photolithographiewerkzeug und einem Sputterwerkzeug ausgestattet. Die elektronische Positioniermaschine ermöglicht es dem Benutzer, den Substrathalter und die induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP) exakt innerhalb eines kleinen Fensters der gesamten Kammerabmessungen neu zu positionieren. Dies ermöglicht eine präzise Steuerung der Filmwachstumsrate, Dotierung und Oberflächenreinheit bei gleichzeitiger Minimierung von Kontaminationsrisiken. Die Diffusionsquelle liefert ein gleichmäßiges Temperaturprofil und hochreinen Sauerstoff, was eine zuverlässige und gleichmäßige Filmabscheidung ermöglicht. Das Photolithographie-Werkzeug ermöglicht eine präzise Strukturierung von Filmen auf dem Substrat und das Sputterwerkzeug ermöglicht tiefere Ätzungen, um sehr detaillierte Strukturen zu schaffen. KOKUSAI QUIXACE-II Benutzeroberfläche ist einfach und intuitiv, so dass eine schnelle Einrichtung und Ablagerung Prozess. Die benutzerfreundliche grafische Darstellung ermöglicht eine einfache Auswahl von Prozessparametern und Änderungen. Die Software ermöglicht die Auswahl verschiedener Abscheidungen pro Schicht wie Stickstoffdotierung, Schichtdickensteuerung usw. Diese ermöglichen eine hervorragende Kontrolle der gewünschten präzisen Strukturierung und Abscheidung. Darüber hinaus kommt Quixace II mit einer Reihe von erweiterten automatischen Sicherheitsfunktionen. Es ist mit einem Warnwerkzeug ausgestattet, um den Benutzer beim ersten Anzeichen von Gefahren zu warnen. Ferner ist es so ausgelegt, dass der Benutzer die ICP-Quellleistung bei laufender Abscheidung manuell steuern kann. Dies verringert die Risiken im Zusammenhang mit versehentlicher Fehlzündung von ICP-Quellen durch Fehlfunktionen. QUIXACE-II ist aufgrund seiner Eigenschaften ein unschätzbares Werkzeug für die Dünnschichtabscheidungsforschung und -entwicklung. Seine fortschrittlichen Eigenschaften und Sicherheitssysteme ermöglichen eine präzise Kontrolle des Abscheidungsprozesses und perfektionieren die Entwicklung modernster kristalliner Oxiddünnschichten.
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