Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Alpha 303i-KVCFN #9381866 zu verkaufen

TEL / TOKYO ELECTRON Alpha 303i-KVCFN
ID: 9381866
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2005
Furnace, 12" Process: DCS-HTO Heater type: FTP VOS-56-003 4 Zone With RCU Gases: N2, NH3, SiH2Cl2, N2O, SiH4 2005 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Alpha 303i-KVCFN ist ein Diffusionsofen und Zubehör, das auf die Erzielung einer hochwirksamen Dotierung für komplexe Silizium-Wafer-Verarbeitung zugeschnitten ist. Diese industrielle Vorrichtung verwendet die Kappa-V Czochralski (KVC) floating-Zone-Methode des Kristallwachstums auf Halbleiterchips. Das Gerät bietet Benutzern zwei KVC-Lampen, integriert mit einem Drei-Zonen-Graphit-Suszeptor-System für effektives Heizen und gleichmäßiges Wachstum von Wafern. TEL Alpha 303i-KVCFN verfügt über eine große, wassergekühlte Quarzkammer mit kontrollierbarer Temperatur, um die Thermosyphonzirkulation von hochreinen Prozessgasen effektiv zu erleichtern. Seine Stromversorgungssockeleinheit wurde entwickelt, um eine glatte und präzise Spannung für jede KVC-Lampe bereitzustellen, um einen konsistenten, präzisen Betrieb zu gewährleisten. Der Ofen verfügt auch über eine unabhängige Temperaturregelung für die oberen, mittleren und unteren Zonen und bietet eine vollständige Prozesskontrolle. TOKYO ELECTRON Alpha 303i-KVCFN verwendet eine spezielle Balkendiagrammeinheit, mit der Benutzer die Temperaturunterschiede jeder Zone überwachen und vergleichen können. Darüber hinaus weist die Kammer spezielle Konstruktionselemente für erhöhte Oxidationsbeständigkeit auf. Dies erhöht die Langlebigkeit des Ofens erheblich und ermöglicht einen sicheren Betrieb über einen längeren Zeitraum. Der Graphit-Suszeptor von Alpha 303i-KVCFN wurde entwickelt, um eine präzise Temperaturregelung während des gesamten Prozesses während des Wachstums und der Abscheidung von Halbleiterkristallen zu ermöglichen. Dies wird durch die Ex-Vakuum-Quarzkammer weiter verbessert, die Temperatur und Druck für eine verbesserte Qualität und effizienten Betrieb reguliert. Darüber hinaus sorgt das hochreine Gasförderwerkzeug der Maschine für eine effektive Dotierung über den gesamten Wafer, wodurch Hotspots und andere Probleme beseitigt werden. Zusammenfassend ist TEL/TOKYO ELECTRON Alpha 303i-KVCFN ein industrieller Diffusionsofen und eine Struktur mit vielen technologischen Fortschritten, um eine erfolgreiche Dotierung für komplexe Silizium-Wafer-Verarbeitung zu gewährleisten. Diese Anlage bietet eine verbesserte Temperaturregelung, verbesserte Oxidationsbeständigkeit und hochreine Gaslieferung für verbesserte Qualität.
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