Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase II #9233106 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9233106
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1998
Metal etcher, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber type / Location:
Position A: (D+) Metal DPS+
Position B: (D+) Metal DPS+
Position C: (S+) ASP With enhancements
Position D: (S+) ASP With enhancements
Position E: STD Cool down
Position F: (OA) Orienter
Electrical requirements:
Line frequency: 50 Hz
EMO Guard ring
Smoke detector at controller
Smoke detector at MF
Chamber A / B metal DPS+:
Metal DPS R1 chamber:
Upper chamber body: Anodizing
Electrostatic chuck type: Polyamide ESC
Turbo pump: SEIKO SEIKI STPH 1303C
Upper chamber o-ring: Viton
Dome: Rough
DTCU: E DTCU
Endpoint type: Monochromator
Bias generator: ENI OEM-12B3
Bias match: Standard
Capture ring: STD Polyamide ESC
Source generator: Standard, 2500 W
Slit valve o-ring: Viton
Gate valve: TGV VAT65 Series
Process control: Manometer (0.1 mtorr, 10 torr)
Chamber foreline
With heating jacket
Cathode assy: Single type
BCL3 Gas line block: Heater with watlow
He UPC: MKS 649
Wafer lift cylinder: SMC
Metal ASP+ chamber options:
Process kit: Chuck
O-Ring: Silicon
Applicator: ASP+
Smart match: Tuner 1/4 guide, 2.45 GHZ, 3 kW
Wave guide: Phase MSG isolator
MAGNETRON Head: MKS
Process control: Manometer (10 torr, 100 torr)
GDP Kit: Quartzware
Slit valve o-ring: Viton
Plasma tube o-ring: KALREZ
Generator: AX2115
VDS Heater: VDS Gas line / Final valve heater
Gas delivery options:
VDS Type: Ultra clean
Pallet options:
Valve: FUJIKIN / VERIFLO
Transducer: MILLIPORE / MKS852
Regulator: VERIFLO
Filter: MILLIPORE
Transducer: Display per stick
MFC Type: Unit 8161
Gas panel pallet A / B:
Pallet: 4/6
Gas line configuration:
CL2: 200 SCCM
BCL3: 100 SCCM
N2: 20 SCCM
CHF3: 20 SCCM
O2: 500 SCCM
SF6: 200 SCCM
AR-S: 200 SCCM
(2) Pallet corrosive gas lines
(5) Pallet inert gas lines
(7) Filters
Gas panel pallet C / D:
Pallet: 0/4
Gas line configuration:
O2: 5 SLM
N2-S: 1 SLM
(3) Pallet inert gas lines
(3) Filters
Gas panel facilities: Top feed multi line drop
Gas panel exhaust: Top
Gas panel controller: VME I
Mainframe:
Facilities type: Regulated
Facilities orientation: Mainframe facilities back connection
Loadlock / Cassette options:
Loadlock type: WBLL With autorotation
Loadlock platform: UNIVERSAL
Loadlock cover finish: Anti static painted
Loadlock slit valve o-ring type: Viton
Wafer mapping: Enhanced
Integrated cassette sensor
Transfer chamber options:
Transfer chamber manual LID hoist
Robot type: CENTURA VHP+
Robot blade: Roughened AL blade
Wafer on blade detector
Loadlock: Bottom vent
Front panel: Anti static painted
Signal light tower
System monitors:
Monitor type: CRT Monitor
AC Rack:
GFI: 30 mAMP
Type: AC Gen rack, 84"
Controller facility interface: Remote UPS interface
Generator Rack:
Cooling water: Manifold type
Manifold facilities: Compression tube fittings, 3/4"
Heat exchanger:
H2000 DI EG Cathode
H2000 DI EG Wall
H2000 DI EG ASP Wall
Heat exchanger interface
Pump interface
1998 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase II ist eine Trockenätz-/Aschemaschine für Tiefenätzen/Aschen und Photomasken. Das System bietet eine ausgezeichnete Ätz-/Aschegleichförmigkeit und ermöglicht sehr hohe Selektivitäten zwischen verschiedenen Materialien. AMAT Centura 5200 Phase II kann Wafer bis 8 "Durchmesser mit einer Ätz-/Aschezeit von bis zu 10 Minuten verarbeiten. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 Phase II ist ein einzelner Waferprozessor, der zum hochpräzisen Ätzen und Aschen verschiedener Auf-Wafer-Materialien entwickelt wurde. Das Gerät umfasst eine Duschkopf HF (Radio Frequency) -Quelle, Gasfördermaschine, HF-Generator, digitale MFC (Massenstrom-Controller) und exklusiven Ultra-Shear-Gasmitnahmevorgang. Das heiße Inertgas wird zur Erhöhung der Ätz-/Aschegeschwindigkeiten mit Prozessgasen vermischt. Der HF-Generator nutzt ein innovatives Dualfrequenzdesign, das einen breiten Leistungsbereich bietet und optimale Ätz-/Ascherezepte ermöglicht. Centura 5200 Phase II bietet ein fortschrittliches Ätz-/Aschemodul für mehr Präzision und Gleichmäßigkeit. Für den Transport von Wafern zwischen Vakuumkammern nutzt das Modul eine lineare Bewegungsstufe und eine doppelseitige Belastung. Die Kammer enthält einen planaren Induktor, ein Gasförderwerkzeug und eine HF-Kopplungstechnik zur direkten HF-Energiezufuhr zu den Wafern. Der Kammerkörper ist mit robusten, vibrationsbeständigen Bauteilen ausgestattet, um einen zuverlässigen Betrieb für kontinuierliches Ätzen/Aschen zu gewährleisten. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase II bietet eine sehr enge Endpunktsteuerung durch OES (optische Endpunktdetektion) und Überwachung der überwachten Parameter wie Ätzrate, Profiltiefe und Ätzgleichmäßigkeit. Das Modell verfügt zudem über einen leistungsstarken Ätzprozessmonitor, der die Ätzrate alle paar Sekunden genau berechnet und eine höhere Prozessgenauigkeit ermöglicht. AMAT Centura 5200 Phase II ermöglicht auch erweiterte Photomasken-Reparaturfunktionen, wie das Entfernen und Ersetzen von gemusterten Funktionen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 Phase II bietet ein modulares Design, um eine einfache Wartung und Upgrade-Fähigkeit zu ermöglichen. Das Gerät nutzt eine einfache grafische Benutzeroberfläche für die Konfiguration und den Betrieb des Systems. Darüber hinaus verfügt das Gerät über die Möglichkeit, Rezepte von entfernten Standorten oder über einen USB-Anschluss herunterzuladen. Dies ermöglicht eine einfache Rezeptoptimierung oder Rezeptübertragung auf andere Systeme. Insgesamt ist die Centura 5200 Phase II eine vielseitige, fortschrittliche Trockenätz-/Aschemaschine mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit und hoher Selektivität zwischen verschiedenen Materialien und einer Reihe von Funktionen, die optimierte Rezepte und Photomasken-Reparatur ermöglichen.
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