Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN HD Gate #9300031 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN HD Gate ist ein hochmoderner elektrochemischer Ascher/Ätzer zur Verbesserung der Schicht-zu-Schicht-Gleichmäßigkeit bei der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen. Der Ätzer/Ascher hat gegenüber herkömmlichen Ätz- und Aschebearbeitungstechniken für die Halbleiterherstellung mehrere einzigartige Vorteile. AMAT Centura ACP DPN HD Gate ist der erste Dry Photoresist (DPN) Ätzer/Ascher, der High Density Gate (HDG) Technologie implementiert. Die HDG-Technologie basiert auf der Verwendung eines Fokusstabs, um den Spalt zwischen dem Ätz-/Aschetor und der Oberfläche des Wafers zu verringern. Diese Konstruktion ermöglicht höhere Ätzraten, bessere Gleichmäßigkeit und geringere Metallkonzentration im Ätzgas. Das ACP DPN HDG Gate bietet zudem eine verbesserte Selektivität und Oberflächenschädigungstoleranz. Dieser Ätzer/Ascher verwendet eine Niedertemperatur-Plasmaquelle, um eine Plasmawolke zu erzeugen, die eine hohe Selektivität zwischen den verschiedenen Arten von Materialien auf der Waferoberfläche ermöglicht. Diese Selektivität reduziert die Oberflächenschäden und erhöht die Prozessausbeute. In Bezug auf die Gesamtleistung ist AMAT Centura ACP DPN HDG Gate in der Lage, geätzte Schichten mit einer beeindruckenden Ätzrate, Gleichmäßigkeit und Selektivität zu ätzen. Seine hohe Temperaturbehandlungsfähigkeit ermöglicht eine konsistente Schrittabdeckung während des Ätzens, während seine Tieftemperatur-Plasmaquelle die kleinen Funktionen ermöglicht, die benötigt werden, um Hochleistungs-Halbleiterbauelemente zu erreichen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura ACP DPN HDG Gate ist ein fortschrittlicher Ätzer/Ascher, der zur Optimierung der Schicht-zu-Schicht-Gleichmäßigkeit bei der Verarbeitung von Halbleiterbauelementen entwickelt wurde. Dieser Ätzer/Ascher bietet eine verbesserte Ätzrate, Gleichmäßigkeit, Selektivität und Oberflächenschädigungstoleranz gegenüber herkömmlicher Ätz-/Aschebearbeitung. Seine HDG-Technologie und seine Niedertemperatur-Plasmaquelle verringern den Spalt zwischen Ätzer/Asche-Gate und der Waferoberfläche erheblich, was die Ausbeute des Prozesses erhöht und die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen ermöglicht.