Gebraucht HITACHI M 712 #9242176 zu verkaufen
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ID: 9242176
Wafergröße: 8"
Etcher, 8"
(3) Cassettes / FOUP Positions
SECS II Interface: HSMS
(2) EDWARDS iQDP80 Loadlock pumps
(2) EDWARDS iQDP80 Chamber pumps
(2) SMC INR-497-001 Chillers
2-Channels cooling
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 50/60 Hz
Mainframe:
Robot
P/N: CR-712V
HITACHI FOUP Loader
Chamber:
ESC Type: Bipolar
Endpoint type: PMT/ OES
SHIMAZU EC TMP
3203LMC-K1 EC TMP Controller
DAIHEN ES7-IIA EC Source generator
PEARL CF-500-400K EC Bias generator
Gas configuration:
Line / EC1 / EC2
1 / Ar 500 / Ar 500
2 / C12 300 / C12 300
3 / SF6 200 / SF6 200
4 / HBr 200 / HBr 200
5 / CF4 150 / CF4 150
6 / CHF 3200 / CHF3 200
7 / O2 30 / O2 30
8 / CHF3 50 / CHF3 50
9 / SF6 50 / SF6 50
10 / C12 30 / C12 30
2006 vintage.
HITACHI M 712 ist ein Ätzer/Ashor zur Herstellung mikroelektronischer Bauelemente. Es ist eine fortschrittliche Ätz- und Aschetechnologie (dry-etch), die zum Ätzen von beliebigem Material, einschließlich Metallen, Nichtmetallen, Oxiden und Polymeren, verwendet werden kann. Die Anlage ist ein kombinierter plasmabasierter Ätz- und Ascheprozess und ist mit einer Niedertemperatur-chemischen Trockenätzung (LTCDE) und Aschekammer ausgestattet, in der verdampfte Elemente mit dem Substrat reagieren. Das System ist in der Lage, eine Vielzahl von Substraten zu verarbeiten, einschließlich Glas, Quarz und Polyimid. Es enthält auch einen Hochleistungsgenerator, eine turbomolekulare Pumpeinheit und eine chemische Trockenätzkammer mit niedriger Temperatur. M 712 Ätz- und Aschevorgang ist ein zweistufiges Verfahren, bei dem die Ätz- und Aschebedingungen getrennt gesteuert werden. Während des Ätzprozesses wird ein Strom von Hochtemperatur-Argonplasma über das Substrat zum Ätzen der Substratoberfläche aufgebracht. Der Aschvorgang folgt dem Ätzvorgang und das Plasma wird durch ein neutrales Wasserstoffaschmittel ersetzt. Die Temperatur des Aschmittels ist einstellbar, um optimale Ätz- und Ascheergebnisse zu gewährleisten. Die Maschine enthält auch eine Steuerung mit einem entfernten Terminal, um die Parameter für gewünschte Ätz- und Ascheergebnisse zu verfeinern. HITACHI M 712 hat eine maximale Ätztiefe von 5000 Nanometern (5 Mikrometer), eine minimale Ätztiefe von 500 Nanometern (0,5 Mikrometern) und eine maximale Ätzrate von 1 Mikrometer/Minute, was ein präzises Ätzen und Aschen ermöglicht. Das Werkzeug ist auch in der Lage, einen maximalen Durchsatz von 200 Wafern in 45 Minuten. Darüber hinaus umfasst das Asset erweiterte Prozesskontrollsoftware, um Genauigkeit und Wiederholbarkeit zu gewährleisten. Neben dem Ätzen und Aschen bietet M 712 auch die Möglichkeit, Anbaumodule wie ein Thermooxidfilmabscheidungsmodell, einen Resiststreifen, einen Ätzstopp und einen rückseitigen Reinigungsprozess zu verwenden. Das Gerät hat auch die Fähigkeit, beide Seiten von Substraten gleichzeitig zu ätzen. Diese Zusatzmodule bieten hohe Prozesswiederholbarkeit und Flexibilität. Insgesamt ist HITACHI M7 12 ein fortschrittliches Ätz- und Aschesystem für die Herstellung mikroelektronischer Geräte. Die fortschrittliche Prozesssteuerungssoftware und Zusatzmodule ermöglichen eine präzise und wiederholbare Verarbeitung einer Vielzahl von Substraten. Darüber hinaus ermöglicht der Tieftemperaturätz- und Ascheprozess eine bessere Kontrolle über Ätztiefe, -rate und -durchsatz und bietet eine vielseitige und effiziente Ätz- und Aschelösung.
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