Gebraucht LAM RESEARCH 4420 XL #9173005 zu verkaufen

LAM RESEARCH 4420 XL ist ein hochmoderner Ätzer/Ascher für den Anbau und die Verarbeitung von Halbleitermaterialien. LAM RESEARCH 4420XL verfügt über eine fortschrittliche Prozesskammer mit einer Ätzrate von bis zu 340 nm/min und ist in der Lage, eine maximale Prozesstemperatur von 400 ° C zu erreichen. Dies ermöglicht ein schnelles und effizientes Ätzen und Aschen von Halbleitermaterialien. Darüber hinaus verfügt 4420 XL über ein einzigartiges In-situ-Messsystem, das in die Kammer integriert ist und Echtzeitdaten und Rückmeldungen über den Fortschritt des Ätz- oder Ascheprozesses liefert. Das System verfügt zudem über eine verbesserte Überwachungs- und Steuerschnittstelle, die eine genauere und präzisere Bedienung ermöglicht. 4420XL eignet sich besonders gut für Metallätz- und Strukturierungsprozesse, wobei auf einem Substrat Muster präziser Metallstrukturen gebildet werden. Der gesamte Prozess ist hochautomatisiert und LAM RESEARCH 4420 XL kann dank seines fortschrittlichen Kühlsystems und angepasster Funktionssätze bis zu 400 Wafer in einem einzigen Prozesslauf mit Geschwindigkeiten bis zu 50 Wafern/Stunde verarbeiten. Das automatisierte Be- und Entladen von Substraten wird auch durch automatisierte Kassettenhandler ermöglicht. LAM RESEARCH 4420XL verfügt zudem über eine Reihe von Prozesssteuerungsmodulen, die eine präzise Steuerung des Ätz- und Ascheprozesses ermöglichen. Neben dem Standard-Ätzen und Aschen besitzt 4420 XL auch ein einzigartiges Up-Etch-Merkmal, das das selektive Entfernen einer Schicht aus oxidiertem Material von der Halbleiteroberfläche ermöglicht, ohne darunter liegende Schichten zu stören. Dies ist insbesondere bei der Ausbildung von mehrschichtigen Metallstrukturen nützlich, die regelmäßig in der industriellen Fertigung eingesetzt werden. Insgesamt ist 4420XL ein fortschrittlicher Ätzer/Ascher, der für den Anbau und die Verarbeitung von Halbleitermaterialien entwickelt wurde. Es ist in der Lage, hohen Durchsatz mit hoher Genauigkeit zu erreichen und verfügt über einzigartige Merkmale, die es besonders für fortgeschrittene Halbleiterprozesse geeignet machen.