Gebraucht LAM RESEARCH 839-102001-069 #293646530 zu verkaufen

LAM RESEARCH 839-102001-069 ist ein fortschrittlicher Plasmaätzer/Ascher, der für die komplette Herstellung auf Waferebene entwickelt wurde. Das Modell 839 ist ein automatisiertes Werkzeug, das speziell entwickelt wurde, um Teile eines Halbleiterwafers präzise zu ätzen und zu reinigen. Das System advanced control system besteht aus vielen Monitoren und benutzerdefinierten Steuerungen, um eine einfache Bedienung und präzise Parametereinstellungen zu ermöglichen. Das Modell 839 besteht aus zwei Bearbeitungseinheiten, die in einem einzigen Schrank untergebracht sind. Die Haupteinheit besteht aus einem 300 mm kapazitiv gekoppelten Plasmareaktor mit einem Anpassungsnetzwerk und Spulenlast, einem rasterelektrostatischen Spannfutter und einem planaren HF-Generator zur Wafer-Pegelätzung. Die zweite Einheit beherbergt das Lastschloss und das Lade-/Entladearmsystem für zusätzlichen Komfort und eine präzise Handhabung des Produkts. Das 839-Modell nutzt eine planare Antenne, die von einem 1.7kW, 13.56MHz HF-Generator angetrieben wird, um Ionen mit präzisen Energien und Dichten zu transportieren. Das Gerät verfügt ferner über ein rechnergesteuertes Mehrzonen-Gaseinspritzsystem, das Durchflussraten und Temperaturen überwacht, eine präzise Steuerung des Ätzprofils und eine verbesserte Wiederholbarkeit ermöglicht. Der Ätzvorgang beginnt damit, dass ein Wafer auf das abtastende elektrostatische Spannfutter geladen wird, das den Wafer über elektrostatische Kräfte über die Oberfläche der Prozesskammer hinausragt. Der HF-Generator erregt dann zweckmäßigerweise die Planarantenne und erzeugt eine Hülle aus elektronenionisiertem Plasma zwischen der Antenne und der Oberfläche des Wafers. Auf den Wafer wird dann ein Ionenfluß aufgebracht, der den Ätzvorgang unterstützt. Nach Erreichen des gewünschten Ätzprofils wird dann ein Spülgas in den Reaktor eingeleitet, das das Plasma abschaltet und den Ätzvorgang beendet. Das Spülgas hilft auch, das große Volumen an Partikeln aus dem Ätzprozess zu enthalten, da Partikel sorgfältig überwacht werden müssen, um die Sauberkeit auf der Oberfläche eines Wafers zu erhalten. Das Gerät bietet außerdem ein Ascheverfahren zur Reinigung der Plasmaoberflächen des Wafers und zur Beseitigung von durch Ätzen verursachten Oberflächenschäden. Der Ascheprozess ähnelt dem Ätzprozess und verwendet denselben HF-Generator und Spülprozess. 839-102001-069 ist eine fortschrittliche modulare Prozesslösung für die Ätzung/Auswertung, die präzise, leistungsstarke Funktionen bei minimaler Wartung und minimaler Bedieneraufsicht bietet.