Gebraucht LAM RESEARCH Rainbow 4420 #293587259 zu verkaufen

LAM RESEARCH Rainbow 4420
ID: 293587259
Weinlese: 2010
Plasma etcher ESC Chuck, 8" 2010 vintage.
LAM RESEARCH 4420 ist ein fortschrittliches Ätz-/Aschewerkzeug, das für die Substratbearbeitung von Strukturen mit hohem Seitenverhältnis optimiert wurde. Dieser Ätzascher eignet sich ideal für Anwendungen mit mehrschichtigen Abscheidungsanforderungen, wie z.B. Tiefgrabenetch und Silizium-on-Isolator (SOI). Es ist in der Lage, bis zu 15 Schichten temperaturempfindlicher Materialien zu ätzen und abzuscheiden und kann das Ätzen von bis zu 1 µm tiefen Gräben unterstützen. LAM RESEARCH 4420 verfügt über ein hochmodernes Design, das Gleichmäßigkeit und Stabilität des Ätz-/Ascheprozesses gewährleistet und gleichzeitig eine präzise kundenspezifische Prozesssteuerung ermöglicht. Es ist mit einer physikalischen Dampfabscheidungskammer (PVD) mit variablem Druck (VP) und einer Plasmaquelle mit variabler Kapazität (VCPS) zum Ätzen aufgebaut. Dieser fortschrittliche Ätzer sorgt für geringe Ionenkontamination, hohe Gleichmäßigkeit und ausgezeichnete Selektivität. Die Kammer bietet eine temperaturstabile Umgebung, die eine unabhängige Steuerung der Ätzrate, Selektivität und Gleichmäßigkeit ermöglicht. Das VCPS bietet hohe Ätzrate und inerte Ätzstoppfunktionen, um reproduzierbare Ätz-/Aschefunktionen zu gewährleisten. Der 4420 ist auch mit fortschrittlicher Kühltechnologie ausgestattet und wird durch den Deuterium-Gleichmäßigkeitsprofilservice von LAM unterstützt. Die 4420 bietet eine breite Palette von wiederholbaren, High-Fidelity-Prozessfähigkeit in allen Ätz- und Abscheidungswerkzeugen, einschließlich Sputtern, physikalische Dampfabscheidung (PVD-with variable power), Metall-organische chemische Dampfabscheidung (MOCVD), Ionen-Implantation, Nass-Ätz- und Trockenätzfunktionen. Seine intuitive Steuerung und intuitive Benutzeroberfläche erleichtert die einfache Anpassung von Prozessparametern. LAM RESEARCH 4420 etcher-asher ist auch entworfen, um grenzenloses Ätzen in schwierigen Geometrien sowie mehrstufiges Ätzen mit hoher Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit unterzubringen. Dies ermöglicht maximale Designflexibilität für Membranstrukturen, 3D-Geometrien, integrierte Drähte und Vias sowie Verbindungen. Darüber hinaus wird der integrierte fokussierte Ionenstrahl (FIB) zur Feinabstimmung und zur Nachätzprozessanalyse verwendet. Dieser Ätzascher eignet sich ideal zur Gerätemodifizierung, TFT-Bildung und Prozessoptimierung für die Halbleiterherstellung. Die hochmodernen Steuerungs- und Überwachungssysteme sorgen für einen zuverlässigen Ätzbetrieb und Ertrag.
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