Gebraucht MATTSON Paradigm SI #9231983 zu verkaufen

MATTSON Paradigm SI ist ein anisotroper Ätzer/Ascher für Halbleiterverarbeitungsanwendungen. Es verwendet einen mehrstufigen, zyklischen Prozess, um eine sehr genaue Kontrolle des Ätz-/Ascheprozesses zu ermöglichen. Der Prozess beginnt mit einem Trockenätzschritt. Die Kammer ist mit einem vom Hochfrequenzfeld erzeugten Gasplasma gefüllt, das von einem 13,56-MHz-Netzteil stammt. Dieses Verfahren streift Verunreinigungen an der Waferoberfläche ab und wandelt sie in eine gasförmige Form um. Dem Ätzen folgt ein Naßprozess. Eine Lösung aus Kaliumhydroxid (KOH) und entionisiertem Wasser wird in die Kammer eingeleitet und zur Reaktion mit den Verunreinigungen verwendet. Diese Reaktion und die anschließende Verdampfung von KOH hilft, Material weiter abzustreifen und gleichzeitig eine glatte Oberflächengüte zu gewährleisten. Die Aschephase nutzt eine Kombination aus Sauerstoff (O2) -Plasma und einem Strom von heißem Stickstoff (N2) -Gas. Dies hilft, das organische Material auf der Waferoberfläche abzubauen und den Kohlenstoffaufbau zu reduzieren. Die letzte Phase des Prozesses trägt zur Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit bei und entfernt jegliches Restmaterial aus dem Ätz-/Ascheprozess. Ein zeitgesteuerter Prozess von Ar und O2 Plasma wird verwendet, um die Waferoberfläche zu sputtern, die Oberflächentextur weiter zu verbessern und Probleme mit dem Lebensdauerabbau der Schaltkreise zu minimieren. Paradigm SI ermöglicht eine sehr präzise Steuerung des Etch/Ashing-Prozesses. Diese Präzision sorgt für optimale Produktqualität und reduzierte Zykluszeit. Das mehrstufige Verfahren sorgt für hohe Gleichmäßigkeit über Substrate und eine sehr saubere Oberflächengüte. Damit ist MATTSON Paradigm SI eine ideale Wahl für Dielektrikum-, Barriere- und Metallisierungsschichten.