Gebraucht PLASMATHERM 770 ICP #9123970 zu verkaufen
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ID: 9123970
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1997
Ion coupled plasma etcher system
Dual chamber
Load lock shuttle lock transfer
RFPP–RF5S RF power supply w/AM5
Six zone heater
Pressure controller: PM5
RF20M with phase
Model 919 hot cathode controller
VAT PM5 adaptive pressure controller
Dual pumping stack with Leybold 600C
Leybold D65BCS
Dual sofie endpoint detectors
Gas chemistry:
Non-chlorine side:
(5) MFCs
(1) N2 Purge
Clorine side:
(4) MFCs
(2) N2 Purges
Plasmatherm windows based OS
208V, 3 Phase, 50/60 Hz
1997 vintage.
PLASMATHERM 770 ICP ist ein fortschrittliches Trockenätzätzgerät, das ursprünglich für die Entwicklung und Prozessintegration in der Halbleiterindustrie entwickelt wurde. Es ist speziell entwickelt, um die Herausforderungen der hohen Seitenverhältnis ätzen, so dass es für die schwierigsten Prozesse und Anwendungen geeignet. Das System nutzt eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP), die hochdichtes Plasma mit niedrig ionisierten Spezies erzeugt, um eine höhere Genauigkeit und Gleichmäßigkeit als alternative Ätzsysteme zu erreichen. Das ICP arbeitet bei 10.2MHz und verfügt über einen Leistungsbereich von bis zu 400 Watt, was eine präzise Kontrolle über Leistung und Ätztiefe ermöglicht. Der ICP arbeitet auch bei Temperaturen zwischen 450 und 950 ° C und verfügt über einen Druckbereich von 0-1000 mTorr für mehr Flexibilität und Genauigkeit. Darüber hinaus verfügt das Gerät über eine energieneutrale Quelle für geladene Partikel (ENCP), die langfristige Schäden am Wafer verringern soll. Diese Quelle eliminiert ionisierte Partikel, wodurch ein gleichmäßigerer Ätzprozess entsteht, der die Beschädigung von Mikromerkmalen reduziert und die Genauigkeit insgesamt verbessert. Das ENCP ist auch in der Lage, eine höhere Ätzrate und eine verringerte Oberflächenrauhigkeit im Vergleich zu alternativen Ätztechniken bereitzustellen. Die Maschine verfügt auch über drei Achsen der Bewegung und optomechanische Auto-Zentrierung Produktivität und Präzision zu erhöhen. Mit einer 5,8 „Prozesskammer können 770 ICP jede Größe Wafer passen und Ätzprozesse bis 8,0“ im Durchmesser ausführen. Die mit Keramik ausgekleidete Prozesskammer weist zudem eine gleichmäßige Temperaturgestaltung auf, die eine stabile Ätzumgebung schafft. Für die fortschrittliche Prozesssteuerung nutzt das Tool erweiterte Automatisierungsfunktionen wie Wärmesteuerung, Prozessrezept-Manager und halbautomatische Waferübertragung. Eine vollautomatische Robotergasanlage ist auch verfügbar, um den Eingriff des Betreibers zu reduzieren und die Produktivität zu verbessern, sowie ein rückverfolgbares Gasliefermodell zur besseren Kontrolle der Gasgemischzusammensetzung. Insgesamt ist PLASMATHERM 770 ICP Ätzer/Ascher ein leistungsfähiges und zuverlässiges Werkzeug für die schwierigsten Prozesse und Anwendungen in der Halbleiterindustrie. Mit hochdichtem Plasma, gleichmäßiger Energieverteilung und automatisiertem Gassystem bietet das Gerät überlegene Ätzgenauigkeit und Wiederholbarkeit.
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