Gebraucht SAMCO RIE-200iP #9244966 zu verkaufen

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Hersteller
SAMCO
Modell
RIE-200iP
ID: 9244966
Wafergröße: 6"-8"
Weinlese: 2006
ICP Etcher, 6"-8" Wafer transfer chamber Tornado ICP high density plasma source SAMCK'S Multi-zone exhaust system Metal etching process kit for repeatable metal etching Recipe storage and data logging Footprint Reaction gas Produces stable and high density plasma Multi-port vacuum system ESC With active wafer temperature control (Helium backside cooling) Use non-anisotropic etching of various bismuth films 2006 vintage.
SAMCO RIE-200iP ist ein Ätzer oder Ascher, der verwendet wird, um Material von der Oberfläche eines Substrats zu entfernen, indem es einem Plasma ausgesetzt wird. Das Plasma wird durch eine Hochfrequenz (RF) -Stromquelle erzeugt, die dann verwendet wird, um eine Reaktorkammer zu schaffen, in der das Substrat gehalten wird. Das Substrat wird auf eine Elektrode aufgesetzt und die HF-Stromquelle mit der Elektrode verbunden. Die HF-Leistung wird dann verwendet, um ein intensives elektrisches Feld zu erzeugen, das das Gas innerhalb der Plasmareaktorkammer ionisiert. Dadurch entsteht ein energiereiches Plasma, das zum Ätzen oder Aschen der Oberfläche des Substrats verwendet wird. RIE-200iP ist in der Lage, eine Vielzahl von Gasen zu verwenden, einschließlich SF6, Sauerstoff und Stickstoff. Mit diesen Gasen können Silizium, Quarz, Metall und sogar organische Materialien geätzt werden. Der Ätz- oder Aschevorgang wird bei Drücken von 0,1 bis 150 mbar durchgeführt und kann Temperaturen von bis zu 800 ° C erreichen. Dies ermöglicht dem Anwender eine hohe Präzision bei der Durchführung von Oberflächenbearbeitungsoperationen. Der HF-Generator kann Frequenzen von 10 kHz bis 40 MHz und Leistungsstufen von 0,1 bis 300 Watt erzeugen. Dadurch erhält der Anwender die volle Kontrolle über den Ätzprozess, sodass er die bestmögliche Oberflächengüte erzielen kann. Neben dem Ätzen und Aschen können SAMCO- RIE-200iP auch zur Abscheidung wie PECVD und Sputterbeschichtung verwendet werden. Dies geschieht durch Einleiten eines zweiten Gases in die Plasmareaktorkammer neben dem zur Erzeugung des Ätz- oder Aschevorgangs verwendeten Gas. Dadurch kann der Benutzer die Oberfläche des Substrats mit einer dünnen Materialschicht beschichten, die für eine Vielzahl von Zwecken verwendet werden kann. RIE-200iP ist eine zuverlässige und langlebige Maschine, die für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden kann. Seine benutzerfreundliche Oberfläche ermöglicht eine einfache Einrichtung und Bedienung, so dass es eine gute Wahl für jeden Ätz- oder Ascheprozess ist. Es ist auch sehr genau und vielseitig, mit der Fähigkeit, mit einer Vielzahl von Materialien zu arbeiten und eine hohe Präzision im Ätz- oder Ascheprozess zu erreichen. Dies macht es zu einer idealen Wahl für eine breite Palette von Oberflächenbearbeitungsoperationen.
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