Gebraucht SEZ / LAM RESEARCH RST 201-8/6 #9394342 zu verkaufen

SEZ RST 201-8/6 ist ein Ätzer/Ascher, der bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird. Hergestellt wird es von LAM RESEARCH, einem multinationalen Unternehmen, das sich auf die Herstellung und den Vertrieb von Ätz-/Aschermaschinen und anderen Halbleitergeräten spezialisiert hat. Dieses Modell ist für die Entfernung dünner Materialschichten von der Oberfläche von Halbleiterscheiben, wie z.B. gemusterten Saphirsubstraten, ausgelegt. Dies ist eine Nassätzanlage, die chemische Lösungen verwendet, um die Wafer auf die gewünschte Form und Größe zu ätzen. SEZ/LAM RESEARCH RST 201-8/6 verfügt über ein vollautomatisches Computersteuerungssystem mit einer LCD-Touchscreen-Schnittstelle und fortschrittlicher Software zur Parametereinstellung und Steuerung des Ätzprozesses. Es kann für das Ätzen bei einem weiten Temperaturbereich programmiert und die Ätzgeschwindigkeit während des laufenden Prozesses eingestellt werden. Das Gerät umfasst einen rückseitigen Wäscher zur Reinigung der Wafer vor dem Ätzen und einen Gasverteiler zur Steuerung der Chlorproduktion für zusätzliches Ätzen. Das Ätzen selbst erfolgt in einer kreisförmigen Kammer, in der der Wafer beim Ätzen gedreht wird. Die Kammer selbst besteht aus zwei rotierenden Deckeln und die Wafer werden um eine zentrale Welle gedreht. Laserstrahlschweißen wird verwendet, um die Kammer für Wartungsarbeiten abzuschalten. Zusätzlich ist der RST 201-8/6 mit Sensoren ausgestattet, um eventuell auftretende Leckagen oder Unfälle zu erkennen. SEZ RST 201-8/6 ist in der Lage, Wafer bis zu 8 Zoll Durchmesser zu ätzen, mit einem Durchsatz von bis zu 8 Wafern gleichzeitig. Es hat eine normierte Ätzrate von 6 nm/min, wobei diese Rate je nach geätztem Material und Leistungsabgabe des Lasers auf bis zu 30 nm/min erhöht werden kann. Darüber hinaus ist die Maschine in der Lage, sowohl kleinteilige Testläufe als auch große Produktionsläufe zu bewältigen. LAM RESEARCH RST 201-8/6 kann in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden, von der Strukturierung von Substraten mit einer Mindestlinienbreite von 0,1 Mikron bis zur Erstellung komplexer 3D-Formen. Es ist ein zuverlässiges und kostengünstiges Werkzeug, das in einer Vielzahl von Halbleiterherstellungsprozessen eingesetzt werden kann.