Gebraucht SEZ / LAM RESEARCH RST 201 #9394221 zu verkaufen
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ID: 9394221
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1996
Spin etcher, 8"
Process: Poly SiO2
Medium 2:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.6 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
Filter housing
Medium 3:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.7 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
No filter housing
N2 Flow: SCCM Monitored
Dispense:
Suck back: (2) Stages-valve to suck back valve, 3/8"
Medium 2: Analog flow monitor
Medium 3: Analog flow monitor
HMI: Rear
Static bar
Chuck type: Bernoulli (Standard)
(6) Spare parts
System safety equipment:
EMO Switch type: Turn to release EMO
EMO Guard ring
Chemical delivery options
Gem interface
CDS Unit
SUB Unit and spare part
Facilities:
N2
CDA
UPW
Exhaust
Vacuum
Power requirements:
Remote power module
Line voltage: 400V VAC Platform
Line frequency: 60 Hz
UPS: Computer
1996 vintage.
SEZ/LAM RESEARCH RST 201 ist ein Ätzer/Ascher, der für subtraktive chemische Prozesse bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird. Es ist eine zuverlässige Hochleistungsplattform, die zum Präzisionsätzen verschiedener Materialien wie Si, SiO2, SiN, Polyimid und Metall verwendet wird. SEZ RST 201 verfügt über eine automatische chemische Quelle Container Management-Ausrüstung, eine große Arbeitsumschlag von 660 x 940 mm, und eine benutzerfreundliche grafische Benutzeroberfläche (GUI). Es kommt auch mit einem integrierten Roboter für einfaches Be- und Entladen von Wafern sowie fortschrittliche chemische Analysetechnologie. LAM RESEARCH RST 201 verwendet einen hochentwickelten Ätzprozess, der es ermöglicht, komplizierte Geometrien mit Geschwindigkeit und Präzision zu bauen. Der Ätzprozess wird in einer sauberen Niederdruckkammer durchgeführt, die Ausgasungen verhindert und Verschmutzungen minimiert. Ein Gasmischsystem mit der Fähigkeit, das Verhältnis von Ätz- und Schutzgasen auf die Bedürfnisse einer bestimmten Anwendung einzustellen, ist enthalten. Es verfügt auch über einen variablen Druck, der die Prozessgeschwindigkeit erhöht, Verschmutzung und Verschleiß reduziert und die Qualität der Ätzung erhöht. RST 201 beinhaltet eine ausgeklügelte Werkzeugsteuerung, die Schlüsselfunktionen des Ätzers/Aschers überwacht und steuert und die Prozessparameter beim Ätzen überwacht. Dadurch wird sichergestellt, dass der Ätzprozess genau gewartet und überwacht wird, um die höchste Produktqualität zu erhalten. Ein Doppelkammer-Vakuum-Design ist ebenfalls enthalten, das eine Niedervakuum-Druckumgebung mit niedrigem Basisdruck und hohem Rückseitendruck bereitstellt, was die Ätzgleichmäßigkeit und Produktivität weiter erhöht. SEZ/LAM RESEARCH RST 201 ist in der Lage, Nassätzen durchzuführen, das heute häufigste Ätzverfahren der Halbleiterindustrie. Es ist auch zum Trockenätzen in der Lage, wo chemische Gase mit der Oberfläche des zu ätzenden Materials reagieren. Die Maschine wurde entwickelt, um Hochleistungsprozesse zu ermöglichen und eine Vielzahl von Ätzmustern, einschließlich Löcher und Schlitze, zu ermöglichen, schnell und genau geätzt zu werden. SEZ RST 201 ist ein idealer Ätzer/Ascher für mehrschichtiges Ätzen, Mustern und sogar dreidimensionale Strukturen. Dieser Ätzer/Ascher ist sehr anpassbar und kann verwendet werden, um komplexe Muster in verschiedenen Formen und Größen zu erstellen. Die verbesserten Funktionen und Funktionen von LAM RESEARCH RST 201 sowie die benutzerfreundliche Benutzeroberfläche machen es zu einem unschätzbaren Werkzeug für die Halbleiterindustrie.
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