Gebraucht STS / CPX Multiplex ICP #293603805 zu verkaufen
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ID: 293603805
Wafergröße: 6"
Deep Reactive Ion Etcher (DRIE), 6"
Type: Non-MESC
Anisotropic etch
Vacuum
Plasma
Materials: Silicon, SiNx
Gases: C4H8, SF6, O2
Photoresist masks
Etch rates: 1-2 µm/min
Mounted on 6" carrier wafer
Load lock
Manual.
STS/CPX Multiplex ICP (Inductive Coupled Plasma) ist eine Ätz-/Ascher-Ausrüstung für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und andere Anwendungen. Dieses Ätz-/Aschersystem verwendet ein induktiv gekoppeltes Plasma (ICP), um eine genaue Dosis reaktiven Gases zum Ätzen oder Aschen an einen Wafer zu liefern. Die ICP-Quelle erzeugt mittels Mehrfrequenz-Eingangsleistung ein elektromagnetisches Feld über (typischerweise) zwei Leistungsbusse, eine Generatorspule und die Spannelektrode. Die ICP-Quelle verwendet mehrere Prozesse, um Material aus dem Wafer abzulegen und zu entfernen. Der erste Prozess ist die Induktion von hochfrequenter Wechselspannung aus der Generatorspule, um Ströme im Futter zu induzieren, dieser Prozess ist für das Ätzen/Aschen entscheidend, da er lokalisierte Temperatur- und Druckgradienten über den Wafer erzeugt, die die gewünschten Ätz- und Gasabscheidungsprozesse einleiten. Bei hohen Leistungsstufen verwendet die ICP-Quelle auch einen zweiten Prozess, um ein Halleffekt-Plasma zu erzeugen. Die ICP-Quelle verwendet dabei eine Kombination aus Wechselstrom und Gleichstrom-Leistungseingängen, um ein hochdichtes elektrisches Plasma zu erzeugen. Das Plasma wird durch Elektronen gebildet, die durch eine durch die Gleichspannungsleistung erzeugte Potentialdifferenz beschleunigt werden, wobei die Wechselspannungsleistung eine zusätzliche Steuerung des Ätz- oder Aschevorgangs ermöglicht. Das ICP reagiert mit dem reaktiven Gas, entweder ätzend oder nach Wunsch aschend. Die ETCH/ASH-Stufe des Prozesses wird vollständig von einer unabhängigen Software gesteuert, die unter anderem eine präzise Steuerung von Ionisation, Ionisationszeit und Gesamtenergie ermöglicht. Im Ätz-/Ascheprozess interagiert der ICP mit den im reaktiven Gas vorhandenen chemischen Spezies, um ein Plasmafeld zu erzeugen. Dieses Plasmafeld hilft beim Einbringen in den Wafer, je nach gewünschtem Prozeß Material von der Waferoberfläche zu ätzen oder zu aschen. Die Reaktion ähnelt einem Sputterprozess, wobei der ICP die Rolle der Sputterquelle spielt. Neben dem Ätzen/Aschen eignet sich STS Multiplex ICP auch für eine Reihe von Prozessen, darunter chemische Dampfabscheidung (CVD), Ionenimplantation, Mikromaskenabscheidung und thermisch unterstütztes Ätzen. Die Ätz-/Ascher-Einheit ist in der Lage, eine Reihe von Substraten wie Silizium, Germanium und Silizium-auf-Isolator zu handhaben. CPX Multiplex ICP wird in einer Vielzahl von Anwendungen von der Display-Produktion bis zur Herstellung von MEMS-Geräten eingesetzt. Die Flexibilität der Maschine und ihr robustes Design machen sie zu einer ausgezeichneten Wahl für viele Ätz-/Ascheprozesse.
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