Gebraucht STS / CPX Multiplex ICP #9186435 zu verkaufen

STS/CPX Multiplex ICP ist ein Ätzer/Ascher oder ein Gerät, das XeF2 und CF4 reaktive Gase verwendet, um gezielte Bereiche von Substraten zu ätzen oder zu „verbrennen“. Es ist für tiefes reaktives Ionenätzen (DRIE) oder tiefes reaktives Ionenaschen (DRIA) mit kleinen Funktionsgrößen bis zum 150-nm-Bereich konzipiert. STS Multiplex ICP führt sowohl das Ätzen als auch das Aschen als eine Einheit mit hoher Genauigkeit und Wiederholbarkeit durch. Sie verwendet entweder CF4 oder XeF2 Gasgemische, die der Ätz- oder Aschekammer des Systems zugeführt werden. Die Kammer wird unter Druck gehalten und mit einem Gasgemisch gefüllt, und es wird ein hochmotorisiertes induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) zur Anregung des resultierenden Plasmas verwendet, wodurch das Substrat geätzt oder verascht werden kann. CPX Multiplex ICP hat eine Reihe von Vorteilen. Es hat hohe Ätzraten, geringen Materialverlust und einen hohen Grad an Oberflächengleichförmigkeit. Es ist in der Lage, eine Vielzahl von Materialien zu ätzen, einschließlich Silizium, Siliziumoxid, Quarz und Glas. Darüber hinaus ist die Einheit für Tiefätzen bis 150 nm Tiefe ausgelegt und erweiterbar, d.h. es können je nach Bedarf zusätzliche Ätz- oder Aschekammern hinzugefügt werden. Die Maschine ist auch benutzerfreundlich und kann in Minuten zum Ätzen oder Aschen eingerichtet werden. Das Tool ermöglicht die Anpassung von Ätz- und Aschezeiten, Leistungsstufen und Gasflusseinstellungen, sodass Benutzer den Ätz- oder Ascheprozess nach Bedarf feinjustieren können. Die Software-Schnittstelle des Asset bietet Benutzern auch die Möglichkeit, Ätz- oder Ascheergebnisse in Echtzeit zu überwachen. Insgesamt ist Multiplex ICP ein einfach zu bedienendes und hochgenaues Ätz- und Aschermodell, das Tiefätzen und Aschen mit hoher Reproduzierbarkeit und Wiederholbarkeit ermöglicht. Die Anlage eignet sich zum Tiefätzen und Aschen von Substraten wie Silizium, Siliziumoxid, Quarz und Glas und hat den zusätzlichen Vorteil, expandierbar zu sein.