Gebraucht STS / CPX Multiplex ICP #9196059 zu verkaufen
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ID: 9196059
Weinlese: 2000
DRIE Etcher
Type of load lock: Single wafer load lock
Process modules: Module 1
Module type: ASE
Process type: Polymers
Wafer handling: Direct
WTC/ ESC: WTC
Material: Silicon
Size: 100 mm
Thickness: Standard
Clamped
Pin lift
Control system / User interface:
Operating system: Windows 2000
Standard control system
Standalone VDU
Keyboard / Mouse
Vacuum load lock with single wafer loader
ICP SC160M Process chamber (MESC)
ICP 240BF Source
RF Supply / Matching unit:
ICP Source: 1 KW (13.56 MHz)
Lower electrode: 300/30 W (13.56 MHz)
Electrode temperature control (+5ºC to +40ºC)
Balun coil ICP design
Gas box and gas lines:
Gas box type: Onboard
Gas lines:
Gas MFC Size Normalized Seal Gas type
Name (sccm) (Yes/No) type (Process/Clean)
C4F8 200 Yes Viton Clean
SF6 300 Yes Viton Clean
O2 100 No Viton Clean
Ar 50 No Viton Clean/Process
CHF3 100 No Viton Clean/Process
CF4 100 No Viton Clean/Process
CO2 100 No Viton Clean/Process
Chillers and cooling circuit:
Lower electrode chiller: Affinity RWA-012
Pumps and pumping lines:
Turbo pump: LEYBOLD MAG900
Chamber backing pump: EDWARDS iH80 (M)
Load lock pump: VARIAN TS600
Power and electronics:
System voltage supply: 208 V, 60 Hz
2000 vintage.
STS/CPX Multiplex ICP ist eine Art von Ätz- und Aschemaschinen, die zur Herstellung einer Vielzahl komplexer Muster auf Substraten wie Silizium, Polyimid und Quarz verwendet werden. Das System kombiniert Ionenstrahlätzen und chemisch unterstützte Ätz-/Aschetechniken, um hohe Produktionsraten, eine verbesserte Prozesskontrolle und wiederholbare Produkte bereitzustellen. STS Multiplex ICP ist mit einer proprietären High Energy Plasma Source (HEPS) und fortschrittlicher Substratpositionierungseinheit für die vollständige Substratbewegungssteuerung ausgestattet. Die Maschine ist in der Lage, bis zu 4-Zoll und 6-Zoll (200mm x 150 mm) Substrate zu verarbeiten und verfügt über ein Prozessfenster bis zu 12 ″ mit hoch- und niederdielektrischen Schichten. Es hat eine hohe Auflösung von bis zu 100nm, was es ermöglicht, feinere Linienbreiten, klare Vias und bessere Schattierungen als herkömmliche Ätz-/Ascheprozesse bereitzustellen. Ein integriertes Gasförderwerkzeug ermöglicht das präzise Ätzen und Aschen unter Zugabe mehrerer Gase, darunter Stickstoff, Chlor und Fluor. CPX Multiplex ICP verfügt über einen geringen Stromverbrauch für verbesserte Betriebssicherheit und -kosten. Diese Anlage verwendet auch ein fortschrittliches Filtrationsmodell, um zu verhindern, dass sich gefährliche Dämpfe und Partikel in der gesamten Produktionsumgebung ausbreiten. Durch die verbesserte Prozesssteuerung und Substratbewegungsfähigkeit ermöglicht diese Ätz-/Ascheeinrichtung höhere Durchsatzraten und konsistentere Prozessergebnisse. Mit seiner hochenergetischen Plasmaquelle ist Multiplex ICP auch in der Lage, eine Vielzahl von Materialtypen wie Silizium, Polyimid und Quarz zu verarbeiten. Darüber hinaus kann es auch extrem dicke Schichten bis 100 µm verarbeiten. STS/CPX Multiplex ICP hat die Ätz-/Ascheperformance durch die Hinzufügung einer proprietären Prozessfolge, die verschiedene Schritte umfasst, vom Waschen (das Partikel von der Oberfläche entfernt) über das Ätzen (das zur Erzeugung von Mustern im Material verwendet wird) bis hin zum Aschen (das zur Entfernung von überschüssigem Material ut) weiter verbessert. Es hat auch ein einstellbares Vorspannungssystem für verbesserte Prozessabstimmung und präzise Ergebnisse. Insgesamt ist STS Multiplex ICP eine fortschrittliche Ätz- und Ascheeinheit, die für Produktions- und Forschungstätigkeiten geeignet ist. Es verfügt über verbesserte Prozesssteuerung und Durchsatzraten, eine hohe Auflösung für bessere Schattierung und Strukturierung, geringen elektrischen Verbrauch für verbesserte Sicherheit und eine proprietäre Prozessfolge, um wiederholbare Ergebnisse zu gewährleisten.
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