Gebraucht STS MACS ICP HR #293807050 zu verkaufen

Hersteller
STS
Modell
MACS ICP HR
ID: 293807050
Wafergröße: 3"-8"
Weinlese: 2000
ICP Etcher, 3"-8" JULABO HT60 Heater Ceramics Spare modules (2) Weighted clamps Gas configuration: Gas / Size O2 / 10 SCCM Ar / 150 SCCM H2 / 50 SCCM O2 / 100 SCCM C4F8 / 50 SCCM C2F6 / 200 SCCM Cf4 / 100 SCCM He / 200 SCCM Missing parts: Rough pump Chiller 2000 vintage.
STS MACS ICP HR ist eine hochmoderne Ätz-/Aschemaschine für Hochleistungs-Ätz- und Ascheprozesse in der Halbleiterherstellung. Dieses Werkzeug verwendet induktiv gekoppelte Plasma (ICP) -Technologie, um hochdichtes Plasma für eine präzise und gleichmäßige Verarbeitung von Substraten zu erreichen. MACS ICP HR ist mit mehreren erweiterten Funktionen und Fähigkeiten integriert, um die anspruchsvollen Anforderungen der Halbleiterindustrie für kritische Ätz- und Ascheanwendungen zu erfüllen. Die in STS MACS ICP HR verwendete ICP-Technologie erzeugt ein hochenergetisches Plasma, indem sie einen Hochfrequenzstrom (RF) in einer Spule induziert, um ein Magnetfeld zu erzeugen. Dieses Plasma wird dann verwendet, um die Prozessgase zu ionisieren, was zu einem kontrollierteren und effizienteren Ätz- und Ascheprozess im Vergleich zu herkömmlichen Methoden führt. Das Plasma mit hoher Dichte sorgt für eine bessere Ätzselektivität, Gleichmäßigkeit und Profilsteuerung, die für die Herstellung von hochmodernen Halbleiterbauelementen unerlässlich ist. Eines der Hauptmerkmale von MACS ICP HR ist seine hochauflösende (HR) Fähigkeit, die eine präzise und fein abgestimmte Verarbeitung von Substraten mit Submikron-Merkmalsgrößen ermöglicht. Dies ist entscheidend für Ätz- und Ascheanwendungen, bei denen komplexe Muster und Strukturen auf den Substraten definiert werden müssen. Die hochauflösende Fähigkeit wird durch fortschrittliche Steuerungssysteme und optimierte Prozessparameter erreicht, die es dem System ermöglichen, Unterangström-Präzision beim Materialabtrag zu erreichen. STS MACS ICP HR ist mit mehreren Gaseinspritzsystemen ausgestattet, die eine präzise Steuerung von Prozessgasen und deren Durchflussraten ermöglichen. Diese Funktion ermöglicht es dem Gerät, die Plasmachemie auf verschiedene Materialien und Prozesse abzustimmen, um optimale Ätzraten und Selektivität zu gewährleisten und gleichzeitig Schäden an den darunter liegenden Schichten zu minimieren. Die präzise Gassteuerung trägt auch zur Wiederholbarkeit und Zuverlässigkeit der Maschine bei, die für die Herstellung von großvolumigen Halbleitern entscheidend ist. Darüber hinaus verfügt MACS ICP HR über ein ausgeklügeltes Wafer-Handling-Tool, das die korrekte Ausrichtung und Positionierung von Substraten während der Verarbeitung gewährleistet. Dadurch wird das Risiko einer Fehlausrichtung oder Beschädigung der Wafer minimiert, was zu einer verbesserten Prozessausbeute und Geräteleistung führt. Das Asset bietet auch erweiterte Endpunkterkennungsfunktionen, die eine Echtzeit-Überwachung des Ätz-/Ascheprozesses und eine genaue Endpunktbestimmung für konsistente Ergebnisse ermöglichen. STS MACS ICP HR ist mit einer benutzerfreundlichen Oberfläche und einer intuitiven Softwaresteuerung konzipiert, wodurch es einfach ist, das Modell für verschiedene Anwendungen einzurichten und zu bedienen. Die Software bietet umfangreiche Prozessrezepte und Parameter, die an spezifische Anforderungen angepasst werden können und Flexibilität und Anpassungsfähigkeit in der Prozessentwicklung ermöglichen. Darüber hinaus bietet das Gerät Datenprotokollierungs- und Analysetools zur Verfolgung von Performance-Metriken und zur Optimierung von Prozessergebnissen. Zusammenfassend ist MACS ICP HR ein hochmodernes Etcher/Asher-System, das leistungsstarke Funktionen für fortschrittliche Halbleiterherstellungsanwendungen bietet. Mit seiner ICP-Technologie, hochauflösender Verarbeitung, präziser Gaskontrolle und fortschrittlichen Wafer-Handling-Funktionen bietet das Gerät hervorragende Ätz- und Ascheergebnisse für eine breite Palette von Materialien und Strukturen. Die benutzerfreundliche Schnittstelle und Softwaresteuerung machen es zu einem vielseitigen Werkzeug für die Prozessentwicklung und -produktion in der Halbleiterindustrie.
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