Gebraucht STS / SPTS ICP DRIE #9248907 zu verkaufen

STS/SPTS ICP DRIE (Inductively Coupled Plasma Deep Reactive Ion Etching) ist eine Art fortschrittliches Leistungsätzsystem, das in der Halbleiterindustrie weit verbreitet ist. Dieses System wurde als Alternative zu herkömmlichen Ätzern entwickelt, da es nachweislich ein viel höheres Maß an Genauigkeit, Vielseitigkeit und Vielseitigkeit zu geringeren Kosten bietet. STS ICP DRIE besteht aus einer Vielzahl von Komponenten, einschließlich einer ICP-Quelle, einer Vakuumkammer, einem Wafer-Spannfutter, einer Wafermaske, einem computergesteuerten HF-Generator, einem hochpräzisen XY-Bewegungstisch und einem fortschrittlichen Gasfördersystem. Der Ätzprozess von SPTS ICP DRIE wird durch die Erzeugung eines Plasmas innerhalb einer geschlossenen Kammer eingeleitet. Die durch das Plasma erzeugte Energie wird verwendet, um die Materialien in der Kammer, die typischerweise Silizium und andere Halbleitermaterialien sind, wegzuätzen. Die Wahl der Ätzparameter (z.B. Substrattemperatur, HF-Leistung und Ätzrate) übernimmt der HF-Generator, der eine präzise Steuerung der Ätzkinetik ermöglicht. Anschließend wird auf dem Wafer eine siliziumhaltige Ätzschicht zum Schutz gegen die Plasmaumgebung abgeschieden. Schließlich wird die Wafermaske verwendet, um das lokalisierte Ätzen bestimmter Bereiche zu lenken. Im Betrieb befinden sich ICP-DRIE-Geräte in der Regel in einer Reinraumumgebung. Der Vorgang beginnt mit der Beladung des Wafers in die Vakuumkammer des Ätzers. Der Wafer wird dann in das Wafer-Futter eingelegt und eingespannt. Der Ätzprozess wird durch Aufbringen der HF-Leistung eingeleitet, die ein Plasma innerhalb der geschlossenen Kammer erzeugt und ein Ätzen der Waferoberfläche bewirkt. Der gesamte Prozess wird ständig vom Rechner überwacht, der für die Steuerung der Parametermenge verantwortlich ist, die den Prozess steuert. Die präzise Steuerung der Ätzung ermöglicht eine äußerst präzise Replikation des gewünschten Musters bei extrem präziser Steuerung der Ätzprozessparameter. Am Ende des Ätzprozesses wird der Wafer aus der Kammer entladen, inspiziert und auf verschiedene Parameter wie Abmessungen, Dicke und Oberflächengüte gemessen. Kurz gesagt, STS/SPTS ICP DRIE stellt eine fortschrittliche Power-Ätztechnologie dar, die eine höhere Kontrolle und Präzision bietet als ältere Ätzsysteme. Es eignet sich zum Ätzen einer Vielzahl von Materialien, einschließlich Halbleitermaterialien wie Silizium, und eignet sich gut für den Einsatz bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und anderen Halbleiterbauelementen.