Gebraucht STS / SPTS Multiplex ICP #293666162 zu verkaufen
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ID: 293666162
Wafergröße: 6"-8"
Weinlese: 2002
Etcher, 6"-8"
Electrical requirements: 208 V, 60 Hz, 40 A/phase
(1) Chamber
(2) Load stations
Carousel vacuum load lock
Helium Backside Cooling (HBC)
Clamp type: Standard WTC
Gases: C4F8 (200 sccm), SF6 (1000 sccm), O2 (200 sccm), Ar (50 sccm)
EBARA AAL10 Load lock pump
EBARA A30W Chamber pump
LEYBOLD MAG 2000CT Turbo pump
LEYBOLD MAG DRIVE 2000 Turbo pump controller
ADVANCED THERMAL SCIENCES / ATS DEX-20ADI Chiller
ENI ACG-3B RF Generator 13.56MHz, 300W
ADVANCED ENERGY RFG 3001 RF Generator, 3kW
2002 vintage.
Der ICP (Inductively Coupled Plasma) Ätzer/Ascher ist ein spezialisiertes Gerät, das bei der Herstellung von mikroelektronischen Geräten verwendet wird. Es führt eine Kombination von Sputter-Ätz- und Plasmaätzprozessen mit Einzelwafer-, Multiplex-Wafer- und Multi-Stack-Substratkonfigurationen durch. Der ICP-Ätzer kombiniert häufig ein Vakuumsystem, eine Ätzkammer, einen HF-Generator und eine Prozesskammer. In der Kammer ist eine Ein- oder Mehrfachsubstratanordnung auf einem Regal über und/oder unterhalb derer ein gerichteter Strom eines Ätzgases eingeleitet wird. Mit einer Vielzahl unterschiedlicher Ätzgasgemische lassen sich unterschiedliche Effekte auf das Substrat erzielen, von physikalischem Ätzen über chemisches Ätzen bis hin zur Abscheidung. Das Ätzgas wird durch einen HF-Generator in der Plasma erzeugenden Vakuumkammer ionisiert. Je nach Substrat kann das erzeugte Plasma im Ätzprozess eine Rolle spielen. Die ICP-Technik wird häufig mit STS (Substrate Transfer Substrate) und/oder SPTS (Sputter Plasma Transfer Substrate) Verfahren zum Ätzen und/oder Aschen mehrerer Substrate gleichzeitig kombiniert. Dieses Multiplexen ermöglicht einen schnelleren Durchsatz, indem die Notwendigkeit der Wiederholung von Ätzprozessen auf jedem Substrat entfällt. Bei den Techniken STS/SPTS und STS handelt es sich sowohl um einen speziellen topfförmigen Transporter, der mit einem einzigen Substrat gefüllt und in die Ätzkammer überführt wird. Die SPTS-Technik verwendet einen einzigen Substrathalter, bei dem sich die positiven und negativen Elektroden an gegenüberliegenden Seiten des Bechers befinden und beide dem Plasma ausgesetzt sind. Dieser Halter wird dann zur Ätzkammer bewegt und der Ätzvorgang auf dem Substrat durchgeführt. Das STS/SPTS-Verfahren ist ähnlich, mit der Ausnahme, dass der topfförmige Transporter mehrere Substrate gleichzeitig enthält, während er sich in die Ätzkammer bewegt. Auf diese Weise können mehrere Prozesse auf den gleichen Satz Substrate in der Kammer angewendet werden. Dies ist besonders nützlich, um ein gleichmäßiges Ätzen auf mehreren Substraten zu erreichen, da der Ätzprozess für jedes einzelne Substrat nicht neu eingestellt oder neu gestartet werden muss. Zusammenfassend kombiniert der ICP-Ätzer für STS-Multiplex-Substratkonfigurationen ein Vakuumsystem, eine Ätzkammer, einen HF-Generator und eine Prozesskammer, um eine Kombination von Sputterätz- und Plasmaätzprozessen auf mehreren Substraten gleichzeitig durchzuführen. Dies bietet eine schnellere und effizientere Möglichkeit, mehrere Substrate zu ätzen und gleichzeitig die Gleichmäßigkeit im Ätzprozess zu erhalten.
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