Gebraucht STS / SPTS Multiplex ICP #293828506 zu verkaufen

STS / SPTS Multiplex ICP
ID: 293828506
Etcher Process: Bosch Type: Clamp type ICP Source power Platen power source (Bias) Gases: Gas / Size SF6 / 260 SCCM C4F8 / 170 SCCM AR / 72.5 SCCM O2 / 100 SCCM Frequency: 13.56 MHz Power supply: 600 W and 3000 W.
STS/SPTS Multiplex ICP ist ein modernster Ätzer/Ascher, der in Halbleiterherstellungsprozessen zum Ätzen oder Entfernen bestimmter Materialien von der Oberfläche von Siliziumwafern oder anderen Substraten verwendet wird. Dieses Gerät verwendet induktiv gekoppelte Plasma (ICP) -Technologie, um hochdichtes Plasma effizient zu produzieren, was ein präzises und gleichmäßiges Ätzen von dünnen Filmen mit minimaler Schädigung der darunter liegenden Schichten ermöglicht. Die STS Multiplex ICP-Plattform ist bekannt für ihre außergewöhnliche Prozesssteuerung, ihren hohen Durchsatz und ihre Flexibilität, was sie zu einer bevorzugten Wahl für die fortschrittliche Halbleiterherstellung macht. Das Konzept der ICP-Ätzung besteht darin, ein Niederdruckplasma aus reaktiven Ionen und Radikalen durch Anlegen eines hochfrequenten elektrischen Feldes an ein Gasgemisch innerhalb einer Vakuumkammer zu erzeugen. Die ICP-Quelle ist typischerweise eine spiralförmige Spule oder eine ebene Konstruktion, die die Reaktorkammer umgibt und ein starkes elektromagnetisches Feld induziert, das die Gasmoleküle ionisiert und ein Plasma hoher Dichte erzeugt. Die Energie des Plasmas kann durch Einstellung der Hochfrequenzleistung, der Gasdurchflussraten und des Kammerdrucks gesteuert werden, was eine präzise Abstimmung der Ätz- oder Ascheprozessparameter ermöglicht. Eines der Hauptmerkmale des SPTS Multiplex ICP-Systems ist seine Multiplexfähigkeit, die die gleichzeitige Verarbeitung mehrerer Wafer in einer einzigen Kammer ermöglicht. Diese parallele Verarbeitungskonfiguration erhöht den Durchsatz und die Produktivität des Geräts erheblich und ist somit ideal für Produktionsumgebungen mit großvolumigen Halbleitern. Darüber hinaus gewährleistet das Multiplexdesign ein gleichmäßiges Ätzen über alle Wafer, was zu konsistenter Geräteleistung und verbesserter Prozesswiederholbarkeit führt. Die Multiplex ICP-Plattform umfasst auch fortschrittliche Endpunkterkennungssysteme, um den Ätzprozess genau zu überwachen und den Betrieb automatisch zu beenden, sobald die gewünschte Ätztiefe erreicht ist. Endpunktdetektionstechniken können optische Emissionsspektroskopie, Laserinterferometrie oder Massenspektrometrie umfassen, die Echtzeit-Rückkopplung auf die Ätzrate und Gleichmäßigkeit. Diese Fähigkeit ist entscheidend, um eine präzise Steuerung des Ätzprozesses zu erreichen und die Reproduzierbarkeit von Gerätestrukturen zu gewährleisten. Neben dem Ätzen kann die STS/SPTS Multiplex ICP-Maschine auch als Ascher zum Entfernen von organischen Rückständen oder Photoresistschichten von der Waferoberfläche fungieren. Die ICP-Technologie liefert energiereiche Ionen und Radikale, die die organischen Verunreinigungen effizient abbauen und verflüchtigen und ein sauberes Substrat für weitere Verarbeitungsschritte bereitlassen. Die Aschefähigkeit des Werkzeugs ist wesentlich, um eine verschmutzungsfreie Waferoberfläche zu erhalten und die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen zu gewährleisten. Die STS Multiplex ICP Plattform bietet eine breite Palette von Prozessrezepten und Gaschemie, um verschiedene Materialzusammensetzungen und Gerätestrukturen unterzubringen. Anwender können die Ätzparameter wie Gasflussraten, Druck, Temperatur und Vorspannung optimieren, um das gewünschte Ätzprofil und die Selektivität zu erreichen. Die Software-Schnittstelle des Asset bietet eine benutzerfreundliche Umgebung für die Programmierung und Überwachung der Prozessschritte, die eine schnelle Einrichtung und einen effizienten Betrieb ermöglicht. Insgesamt stellt das SPTS Multiplex ICP-Modell eine hochmoderne Lösung für Halbleiterhersteller dar, die erweiterte Ätz- und Ascherfunktionen in einer hochdurchsatzförmigen, multiplexierten Konfiguration suchen. Mit überlegener Prozesssteuerung, Endpunkterkennung und Flexibilität im Umgang mit verschiedenen Substraten ermöglicht diese Plattform die Herstellung hochwertiger Halbleiterbauelemente mit minimalen Defekten und verbesserten Leistungseigenschaften.
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