Gebraucht TEGAL 211 #114351 zu verkaufen

TEGAL 211 ist ein Hochleistungs-Plasmaätzer und Ascher. Es ist eine vollautomatische Einzelwafer-Ausrüstung und wurde für die Präzisionskontrolle und Gleichmäßigkeit von Ätzprozessen entwickelt, um höchste Genauigkeit über lange Produktionszyklen zu gewährleisten. Die Hauptkomponente des Systems ist seine hochmotorisierte einstufige Turbopumpe, die als Drucksteuereinheit für eine genaue und konsistente Ätzung über den Wafer dient. Die von der Pumpe getrennte schwimmende Kuppelätzkammer verbessert die Gleichmäßigkeit und erzeugt hohe Ätzraten bei geringer Profilhöhe und Seitenwandwinkeln. Auch die Waferbearbeitungstemperatur wird präzise gesteuert und die Kammer kann Temperaturen bis 700 ° C erreichen. 211 verfügt auch über TEGAL 211, Multifunktions-RF Power Machine, die eine stabile, hochleistungsfähige Verarbeitung mit wiederholbaren Ergebnissen ermöglicht. Dieses Elektrowerkzeug unterstützt Plasma mit hoher Dichte und niedriger Beschleunigung für verbesserte hohe Seitenverhältnisätzungen. Das Asset kann auf optimale Einheitlichkeit, Ätzrate und Ätzselektivität abgestimmt werden. Die Präzision von 211 wird ferner durch seine umfassende Palette von Messwerkzeugen und Steuerungssystemen ermöglicht, die Autoausrichtung, Autofokus und Plasmagassteuerung für genaue Prozesswiederholbarkeit sowie seine fortschrittlichen Detektionssysteme für Suboberflächenschäden, Kanteneffekte und Lebensdauermanagement umfasst. Das Modell bietet zudem eine intuitive, plattformbasierte grafische Benutzeroberfläche mit Prozesssteuerungs- und Managementfunktionen. Dies ermöglicht es Benutzern, Prozessrezepte zu speichern, Ätzparameter zu überwachen und die Effizienz der Batch-Verarbeitung zu nutzen. TEGAL 211 ist ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Halbmikron oder kleinere Photomasken-Herstellung, dielektrische und metallische Ätzung, Serie lineare Metall mesa ätzen, Nanowire Ätzen, Halbleiterbauelementherstellung, Metall-Implantation, Datenspeicherung und Trockenwaferreinigung.