Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Chemical Vapor Deposition (CVD) systems #293665947 zu verkaufen

TEL / TOKYO ELECTRON Chemical Vapor Deposition (CVD) systems
ID: 293665947
Wafergröße: 12"
12".
TEL Chemical Vapor Deposition (CVD) Systeme sind Ätz-/Aschesysteme, mit denen dünne Materialfilme kontrolliert auf Oberflächen abgeschieden werden. Das System kombiniert die physikalischen und chemischen Prinzipien der Dampfabscheidung mit Hochtemperaturkammerprozessen für eine Vielzahl von Anwendungen. Sie ist in der Lage, Dünnschichtbeschichtungen auf Substratmaterialien wie Glas, Metalle und Halbleitermaterialien genau abzuscheiden. Im Kern ist CVD ein Dampfphasenverfahren, bei dem ein Reaktantgas (oder -gase) in eine Kammer eingeleitet wird, in der ein Substrat und eine beheizte Oberfläche bei hohen Temperaturen gehalten werden. Durch die Umsetzung des Reaktionsgases mit der erwärmten Oberfläche entsteht ein Film aus dem gewünschten Material auf dem Substrat. Dieser Film ist meist sehr dünn, besitzt oft dichte und gleichmäßige Eigenschaften. Gängige Anwendungen von CVD sind das Abscheiden von dielektrischen und leitenden Filmen für Halbleiterchips, Dünnschichtoptische Schichten für Solarzellen, Anzeigevorrichtungen und Schutzbeschichtungen für medizinische und automobile Komponenten. Darüber hinaus wird die Technologie auch zum Abscheiden von Metall und Keramik zum Korrosions-, Verschleiß- und Wärmedämmschutz eingesetzt. Im Betrieb besteht das System aus einer Hochvakuumkammer, Gasversorgungsleitungen, einer kinematischen Vakuumpumpe und einem Reaktionsgefäß. Vor Beginn muss die Vakuumkammer auf einen Druck von 1 x 10-4 mbar evakuiert werden. Nach Erreichen des Vakuums wird der gasförmige Reaktionspartner in das Reaktionsgefäß eingespritzt, wo eine erwärmte Oberfläche vorhanden ist. Das Gas wird mit der erwärmten Oberfläche schnell exotherm reagieren, einen Dampf erzeugen und einen Film auf dem Substratmaterial erzeugen. Gleichzeitig soll der Reaktionspartner bei einer vorgegebenen Temperatur und in präzisen Mengen in das Reaktionsgefäß gelangen. Je nach Zustand des Reaktionsgases sollten Temperatur und Dauer des Abscheidungsprozesses sorgfältig kontrolliert werden. Dadurch wird sichergestellt, dass die gewünschte Folie effizient und gleichmäßig auf dem Substratmaterial abgeschieden wird. Nach Beendigung des Verfahrens wird das Reaktionsgas abgeschaltet und das Reaktionsgefäß entspannt. Der resultierende dünne Film wird vom Substrat entfernt, gesammelt und zweckentsprechend weiterverarbeitet. Zusammengefasst bieten TOKYO ELECTRON Chemical Vapor Deposition Systems eine präzise und zuverlässige Methode zur Abscheidung dünner Materialschichten auf Substraten. Das Verfahren ist auf die genauen Vorgaben des gewünschten Materials und Dünnfilms einstellbar. Durch eine ordnungsgemäße Regelung der Temperatur und Dauer des Verfahrens können gleichmäßige und hochdichte dünne Folien erzeugt werden. Diese Technologie wird unter anderem in der Elektronik-, Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Medizinindustrie aufgrund ihrer Effizienz und Wirksamkeit bei der Ablagerung von Folien weit verbreitet.
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