Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Formula #9300653 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON Formula ist eine Ätz-/Aschermaschine für die Substratverarbeitung. Diese Maschine verwendet reaktive Ionenätzverfahren (RIE) und chemische Dampfätzverfahren (CVD), um Ätz- und andere Substratprozesse durchzuführen. TEL Formula etcher/asher kombiniert zwei Arten von Ätztechnologie, um maximale Ergebnisse zu erzielen. Der erste Typ ist RIE, das ein induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) verwendet, um Substrate zu ätzen. ICP ist eine effiziente Ätztechnologie und kann auf das gewünschte spezifische Muster zugeschnitten werden. RIE-Technologie wird verwendet, um Muster wie Gräben und Spalten zu erstellen. Der zweite Typ ist das chemische Dampfätzen (CVD), das ein trockener Ätzprozess ist. Auch dieser Prozess ist hocheffizient und kann auf präzise Ätzmuster zugeschnitten werden. CVD-Ätzen wird häufig zum Verdünnen von Schichten und zum Erzeugen von durchgehenden Substratvias (TSV) für hochintegrierte Schaltungen verwendet. TOKYO ELECTRON Formel Ätzer/Ascher ist entworfen, um den Ätzprozess genau zu steuern. Es verwendet eine Reihe von Parametern, um Ätzprozesse wie Druck, Temperatur, Zeit und Leistung zu steuern. Dies ermöglicht eine präzise Ätzung und eine bessere Prozesswiederholbarkeit. Zur Materialverträglichkeit kann Formula etcher/asher mit einer Vielzahl von Substraten wie Silizium, Quarz und anderen Materialien arbeiten. Es kann auch mit einer Reihe von Vorstufen wie Chloriden, Fluoriden und Alkanen arbeiten. Darüber hinaus bietet TEL/TOKYO ELECTRON Formula etcher/asher ein hohes Maß an Automatisierung. Durch diese Automatisierung können Prozesse unbeaufsichtigt und mit minimalem Eingriff durchgeführt werden. Automatisierungsprozesse wie Fernsteuerung und Prozessplanung reduzieren die Bearbeitungszeit um bis zu 50%. Insgesamt ist TEL Formula etcher/asher ein zuverlässiges und präzises System zur Durchführung von Ätz- und anderen Substratverarbeitungsaufgaben. Es bietet eine Reihe von Ätztechnologien, ein hohes Maß an Automatisierung und Kompatibilität mit einer Vielzahl von Substraten und Vorläufern. Dies macht es zu einer beliebten Wahl für Ätz- und andere Substratprozesse.