Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Indy-A-L #293643254 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON Indy-A-L Ätzer/Ascher ist ein spezielles Gerät innerhalb des Halbleiterherstellungsprozesses, das unerwünschte Oxid- und Polysiliziumschichten aus einem Siliziumwafer entfernt. Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung von Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen. TEL Indy-A-L Maschine ist konstruiert, um hocheffiziente RIE (reaktives Ionenätzen) und Aschen auf einem kleinen Wafer Maßstab durchzuführen. Es verfügt über einen Mehrfrequenz-Hochfrequenzgenerator, der eine effiziente Verarbeitung von bis zu 150 mm Wafergrößen ermöglicht. Der RIE-Prozess entfernt die unerwünschte Materialschicht aus dem Wafer, indem die Atome auf der Oberfläche des Wafers aufgebrochen und eine ionisierte Plasmaplume erzeugt wird, die Oberflächen mit minimaler Beschädigung schnell und genau entfernt. TOKYO ELECTRON Indy-A-L hat auch eine Mehrkammerdesign mit unabhängigen Heizelementen, die konfiguriert werden können, um Wafer optimal zu verarbeiten, die unterschiedliche Verarbeitungstemperaturen und chemische Materialverhältnisse erfordern. Darüber hinaus ist die Maschine sowohl mit einem beschleunigten chemischen Aschevorgang als auch mit einem integrierten Trockenätzgasfördersystem ausgestattet, mit dem unterschiedliche Winkel der Ätzwinkel und daraus resultierende Tiefen erzielt werden können. Darüber hinaus ist Indy-A-L mit einer intelligenten Auto-Matching-Fähigkeit, die automatisch die HF-Frequenz und Energie für optimale Ergebnisse anpassen ausgelegt. Es verfügt auch über mehrstufige Plasma-Tiefensteuerung, die es ermöglicht, mehrere Ätzprozesse auf Präzision in einem einzigen Vorgang abgeschlossen werden. Dazu gehört eine rückseitige Ionenquelle, die zum Entfernen oder Ätzen von rückseitigen Beschichtungen verwendet werden kann. Diese Merkmale führen zu einem hocheffizienten und zuverlässigen Ätzprozess für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen. Insgesamt ist TEL/TOKYO ELECTRON Indy-A-L Ätzer/Ascher ein zuverlässiges, effizientes und genaues Bauelement für die Herstellung von Halbleiterbauelementstrukturen.