Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Tactras RLSA Poly #293813001 zu verkaufen

TEL / TOKYO ELECTRON Tactras RLSA Poly
ID: 293813001
Wafergröße: 12"
Polysilicon etch chambers, 12".
TEL/TOKYO ELECTRON Tactras RLSA Poly ist ein hochentwickelter Ätzer zum Ätzen von Polysilizium-, Poly-SiGe- und SiGe-Schichten aus GaAs-Substraten. Dieser achtgeschöpfige, selbstjustierte Ätzer wurde von TEL. TEL Tactras RLSA Poly bietet hohe Präzision und Genauigkeit beim Ätzen und ist damit ein weithin gefragter Ätzer für Forschung und Entwicklung in Halbleiterprozessen. TOKYO ELECTRON Tactras Die einzigartige Architektur von RLSA Poly ermöglicht das Ätzen komplexer Substrate mit beispielloser Genauigkeit und Gleichmäßigkeit. Dieser Ätzer basiert auf dem reaktiven Ionenätzverfahren (RIE) unter Verwendung einer Kombination verschiedener Gase, wie Sauerstoff, Radikale und Fluorverbindungen, um eine Ätzung zu bewirken. Das RLSA Poly wurde jedoch entwickelt, um optimierte Ätzergebnisse mit verbesserter Gleichmäßigkeit und Selektivität bei geringer Oberflächendefektivität zu ermöglichen. Tactras RLSA Poly verfügt über ein Multi-Kreatur-Layout und bietet Flexibilität im Ätzdesign. Bis zu acht verschiedene Kreaturen können in den Ätzprozess einbezogen werden. Das Multi-Creature Layout ermöglicht die Kombination verschiedener Ätzprozesse, wodurch sowohl subtraktive als auch additive Ätzprozesse integriert werden können. Dies ist insbesondere dann sinnvoll, wenn komplexe Formen in das Substrat geätzt werden müssen. Das RLSA Poly verfügt auch über eine präzise Überwachung von Parametern wie Zelltemperatur, Druckniveau und Gasfluss, was zu seiner Genauigkeit und Wiederholbarkeit beiträgt. Der Ätzer ist zudem mit einem Echtzeit-Überwachungssystem ausgestattet, das die Überwachung von mobilen On-Sample-Daten wie Potenzial und Abstand ermöglicht, was bei der Steuerung der Ätzgleichförmigkeit hilft. TEL/TOKYO ELECTRON Tactras RLSA Poly ist ein äußerst vielseitiger Ätzer, der sich für eine Vielzahl von Anwendungen eignet. Es eignet sich für Materialien wie SiO2, SiN, Si3N4, Photoresist sowie Polysilizium, Poly-SiGe und SiGe-Schichten aus GaAs-Substraten, die in Halbleiterprozessen eingesetzt werden. Die Kombination aus hoher Präzision, Gleichmäßigkeit und Vielseitigkeit des RLSA Poly macht es zu einem der besten Ätzer, die heute auf dem Markt erhältlich sind.
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