Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON TE 8500 #9394809 zu verkaufen
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ID: 9394809
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1994
Oxide etcher, 8"
Chuck type: ESC
RF Generator
ENT Shuttle
Aligner
ISO Module
Cable harness
No chillers
(2) Indexers:
881-621550-3 Control board
UDX5107 5-Phase driver
Handler arm:
BC10CA52CACDN AC Servo motor: 3000 rpm, 10 W
881-621560-2 Int conn board
893-020880-2 Control board
Prealignment:
(2) VEXTA PX244M-01A-C4 Stepping motors, 4 V, 1.2 A
808-621570-2 PA Control board
Load lock:
FGL11-X7 CKD Leak valve: 12 V, 8 W, 3.5-5 kg/cm²
Orifice: 2.2
(2) External motor driver: DBAP10CA52CS536 AC Servo driver
(2) Rotor motor driver: DBCP10CA52CDB AC Servo driver
(2) Load lock motor: BC10CA52CACDN AC Servo driver
(2) Board: 1881-022047-11 Vacuum control board
(3) C-2-FA-50-60-R3 Load lock cylinders
C-2-50-60-R Load lock cylinder
VAC Card rack:
Manostar switch: MS61L Differnetial pressure switch, 2-22 mmHg
E5AX-AH01 Temperature controller: 100-240 VAC, 15 VA, 50/60 Hz
808-62150-1 Gas I/F Board
Gas boxes:
Valve / Model / Gas / Flow rate
Pressure switch / FC-980C / - / -
MFC / FC-980C / N2 / 2 SLM
MFC / FC-980C / O2 / 100 SCCM
MFC / FC-980C / HE / 1 SLM
MFC / FC-980C / AR / 2 SLM
MFC / FC-980C / CF4 / 100 SCCM
MFC / FC-980C / CHF3 / 100 SCCM
MFC / FC-980C / HE / 20 SCCM
Regulator / SQ140-50-3P / - / -
1994 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON TE 8500 ist ein Ätzer (oder Ascher), der in Silizium-Herstellungsverfahren verwendet wird, um Material selektiv von einem Substrat zu entfernen. Dies geschieht, indem das Substrat reaktiven Plasma- oder chemischen Verbindungen ausgesetzt wird, die die Oberflächeneigenschaften des Materials verändern. TEL TE 8500 ist in der Lage, Standardätzanwendungen mit mehreren Ätztechniken durchzuführen, einschließlich Plasmaätzen, reaktiven Ionenätzen (RIE) und Kombinationen aus beiden. TOKYO ELECTRON TE 8500 verfügt über eine fortschrittliche Wafer-Ausrichtungsausrüstung, die eine hervorragende Musterwartung über mehrere Substrate hinweg ermöglicht. TE 8500 verfügt über mehrere Pods, die je nach Prozessbedarf verwendet werden. Jeder Pod enthält mehrere Elektronenzyklotronresonanz- (ECR) Ätzquellen, die das erforderliche Plasma erzeugen. Die Kammer kann mit verschiedenen ECR-Quellen und Betriebsparametern konfiguriert werden, wodurch Anwendern eine Vielzahl von Prozessoptionen zur Verfügung gestellt werden. TEL/TOKYO ELECTRON TE 8500 verfügt auch über mehrere Quellen für reaktives Ionenätzen (RIE). Die RIE-Quellen ermöglichen es Benutzern, die Ätzung auf die genauen Anforderungen ihrer Anwendung abzustimmen, was zu einer verbesserten Ätzselektivität und Steuerbarkeit sowie zu einem hervorragenden Durchsatz führt. TEL TE 8500 verfügt über ein integriertes Prozessüberwachungssystem, mit dem Benutzer die Ätzverarbeitung messen und analysieren können. Diese Einheit ermöglicht eine Echtzeit-Prozessoptimierung, wobei Prozessgrößen schnell und präzise eingestellt werden können, um Ausbeute und Durchsatz zu maximieren. TOKYO ELECTRON TE 8500 verfügt auch über eine digitale Videoüberwachungsmaschine, die eine beispiellose Präzision und Wiederholbarkeit während des Ätzprozesses bietet. Der Videomonitor stellt sicher, dass alle Chargen von Wafern die gleichen Ätzbedingungen durchlaufen haben, wodurch die Variabilität zwischen den Chargen beseitigt und die Reproduzierbarkeit der Ergebnisse verbessert wird. TE 8500 ist eine effektive und genaue Lösung für Halbleiterätzanwendungen. Mit seiner Kombination aus fortschrittlicher Automatisierung und anpassbaren Prozessparametern ist TEL/TOKYO ELECTRON TE 8500 ein unschätzbares Werkzeug für Siliziumherstellungsprozesse.
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