Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON TE 8500S #9269148 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON TE 8500S ist ein Ätzer/Ascher zur Herstellung verschiedener Arten von Substraten aus Materialien wie Siliziumscheiben, Quarz und kristallinen Materialien. Es ist mit einer hochpräzisen Steuereinrichtung und Hochdurchsatz-Plasmaquelle ausgestattet. Dieses System ist in der Lage, das Substrat mit hoher Genauigkeit zu verarbeiten und liefert ein überlegenes Ätzergebnis. Es ist mit einem Mehrgasstromregler und einer Mehrzonen-Prozesskammer ausgestattet, die einen genauen und qualitativ hochwertigen Ätzprozess unter allen Zielbedingungen ermöglicht. Es ist auch mit einer integrierten Regeleinheit mit einem hochpräzisen Temperatursensor ausgelegt, die Prozessstabilität und Gleichmäßigkeit gewährleistet. Darüber hinaus bietet TEL TE 8500 (S) ultrahochauflösende Musterfähigkeit, um eine verbesserte Mustertreue und Selektivität zu erzielen. TOKYO ELECTRON TE 8500 (S) verfügt über eine hochauflösende Plasmaquelle mit hochdichter Ionenenergie, die hilft, einheitliche Ätzmuster zu erzeugen. Es hat auch eine Wafer-Ebene Heizmaschine, die eine höhere Adhäsionsrate und besser geformte Muster erleichtert. Die Maschine ermöglicht die genaue Abscheidung von Schichten mit gleichmäßiger Dicke und Widerstand durch Verwendung von hochdichten Ionenstrahlen kombiniert mit Gleichstrom (DC) und Hochfrequenz (RF) Effekten. Darüber hinaus ist TEL TE 8500 (S) mit einem automatischen Waferübertragungswerkzeug ausgestattet, das ein schnelles und genaues Be- und Entladen von Substraten ermöglicht, ohne die Prozessstabilität zu beeinträchtigen. Es ist mit einer leistungsstarken automatisierten Kammerreinigung ausgestattet, die eine effiziente Wartung und Zykluszeiten in Bezug auf Sauberkeit gewährleistet. Es unterstützt verschiedene Chemien und Automatisierungsmöglichkeiten für mehrere Substrate. TE 8500S bietet eine hervorragende Ätzleistung und eignet sich für Anwendungen in der Herstellung und Forschung von Halbleiterbauelementen. Es ist auch ein ideales Werkzeug für Dünnschichtabscheidungs- und Ätzprozesse für Medizin, Automobil, Luft- und Raumfahrt und Nanomaterialien.