Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K #9282608 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9282608
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2015
Vertical LPCVD Furnace, 12"
VCM-5D-012L Heater
Maximum operating temperature: 300°C
ART Control
N2 Load lock
Wafer type: Si SEMI STD-Notch
(50) Production wafers
Dry pumps missing
Loading area light: White (LED)
RCU Duct length FNC to RCU: 20m
Chemical prefilter hydrocarb
Chemical prefilter location: FNC Top
Wafer / Carrier handler:
Carrier type: FOUP / 25-Slots SEMI STD
ENTEGRIS A300 FOUP
Carrier stage capacity: 10
Info pad A,B: Pin
Info pad C,D: Pin
Fork material: Al2O3
Furnace facilities:
Furnace exhaust connection point: Top connection
Cooling water connection point: Bottom connection
Air intake point: Top
Gas distribution system:
IGS Type: IGS 1.5" W-Seal rail-mount
FUJIKIN IGS System
Tubing bends: <90°C
PALL IGS Final filter
IGS Regulator: CKD
HORIBA STEC IGS MFC Digital
HORIBA SEC-G111 IGS MFC For low flow N2 purge
IGS Press transducer: Nagano
HORIBA STEC LSC-F530 Liquid source vapor system
For ZAC HORIBA STEC TL-2014
Auto refill system TMA: AIR LEQUIDE / CANDI
Auto refill system ZAC: AIR LEQUIDE / CANDI
OP-500H-RE1 Ozone delivery system
Injector O-Ring material: DU353
Gas facilities:
Incoming gas connection point: Bottom connection
Gas VENT Connection point: Bottom connection
Exhaust VENT Connection point: Bottom connection
Gas unit exhaust connection point: Bottom connection
Exhaust:
Vacuum gauge pressure controller: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge press monitor 133 kpa: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge pump monitor: MKS Capacitance manometer (Hot)
CKD VEC-VH8-X0110 Main valve
VYX-0279-CONT Controller
EDWARDS iXH-1820T Pump
EDWARDS TPU Abatement system
Type: Burning type
Exhaust box: Wide type (1200 mm)
Exhaust O-Ring material: DU353
FNC Power box: 30m
FNC RCU: 30m
Power box RCU: 30m
Power box pump unit: 30m
Power box refill system: 30m
Host communications: Comply with GJG
Equipment host I/F Connection: Power box top HSMS (10Base-T/100Base-TX)
Ingenio
OHT Capability
Load port operation: Lower and upper
PIO I/F Location: FNC Top
PIO Provided by: TEL
HOKUYO DMS-HB1-Z PIO
Carrier ID Reader writer type: RF
CIDRW Lower L/P: Read
CIDRW Upper L/P: Read
CIDRW FIMS: Read/Write
CIDRW: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
CIDRW Tag orientation: Vertical
Customized management signals: PT/Water
Interface:
Signal tower model: LCE Series
Signal tower colors: Red/Blue/Yellow/Green
Signal tower location: Front for 10 Stocker (Left)
Front operation panel
MMI and gas flowchart: Gas box and front operation panel Installed
Indicator type: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
Operator switch: Operator access / White cover with orange light
Pressure display unit: MPa / Torr
Cabinet exhaust pressure display: Pa
Warning label: Chinese/English
Power:
Power cable input entrance loc: Power box top
Power supply:
3 Phase connection type: Star connection
200/400 VAC, 60 Hz, 3 Phase
2015 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K ist eine fortschrittliche Ätz- und anisotrope Ätzausrüstung, die für die hochpräzise Abscheidung von dielektrischen Dünnschichtschichten mit hoher K entwickelt wurde. Das System nutzt die fortschrittliche Telformula ALD-Technologie, um eine überlegene Liniendefinition und eine hervorragende Schrittabdeckung bereitzustellen, was zu einer verbesserten Geräteausbeute und -leistung führt. Diese Einheit ermöglicht es Benutzern, Hochleistungs-dielektrische Schichten mit SiO2, SiN, SiC oder einer beliebigen Kombination davon abzulegen. Es arbeitet sowohl im manuellen als auch im automatisierten Modus und ermöglicht eine Vielzahl von Ätzprozessen. Die Maschine nutzt auch eine reaktive Ionenätzbildung (RIE) zum hochpräzisen Ätzen von Mustern und Linienstrukturen. TEL Telformula ALD High-K ist für die Chargenverarbeitung konzipiert, die hohe Durchsatzätzungen für große Mengen von Teilen und Substraten ermöglicht. Das Tool ist mit Advanced Process Control (APC) -Software ausgestattet, die ein leistungsstarkes neues Tool zur Überwachung und Steuerung des Ätzprozesses ist. Diese Software bietet eine Echtzeitanalyse der Ätzprozessparameter und verwendet die In-situ-Feed-Back-Steuerung, um Variationen zu minimieren. Die Anlage verfügt über eine breite Palette von Prozessparametern, darunter Ätztemperaturbereich von 0 ° C bis 350 ° C, Substrattemperaturen bis 500 ° C, Ätzdruck bis 6Torr, Ätzzeit bis 5 Minuten und Optionen für mehrere Speisegasventile. Das Modell bietet auch einen optionalen Druck. Intermediate Flow (PIF) -Ausrüstung, die eine genaue Steuerung des Ätzdrucks und der Gasströme während des Ätzprozesses ermöglicht. TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K ist auf die Kompatibilität mit einer Vielzahl von Resistmaterialien ausgelegt und ermöglicht eine präzise Steuerung von Ätzparametern für wiederholbare Hochleistungsätzergebnisse. Seine optimierte Prozessplattform bietet eine verbesserte Produktivität mit höheren Ätzraten und überlegener Geräteausbeute als andere Ätzsysteme. Dieser Ätzer ist auch in der Lage, hochauflösende Funktionen bis zu 0,3 µm Linienbreiten mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit zu erzeugen, wodurch er sich ideal für die Entwicklung von Halbleiterbauelementen mit präziser Liniendefinition und Eigenschaftengleichförmigkeit eignet.
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