Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Telius 305 DRM #293802362 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON Telius 305 DRM ist eine fortschrittliche Ätz- oder Ascheausrüstung, die für das Ätzen und Aschen von unterschiedlichsten Substraten mit hoher Planarisierung entwickelt wurde. Dieses System bietet eine präzise Oberflächenmodifizierung von integrierten Schaltungssubstraten und anderen Materialien, die eine verbesserte Planarisierung erfordern. Der Telius 313 ist speziell für 2 & 3-D-Resiststrukturen und hochgradige Ätz-/Ascheprozesse optimiert. Die Fähigkeit zum Ätzen und Aschen bei extrem niedrigen Temperaturen macht TEL Telius 305 DRM ideal für den Einsatz von fortschrittlichen Low-K-Dielektrika und hochohmigen Substraten. TOKYO ELECTRON Telius 305 DRM besteht aus einer Plattformbasis mit zwei vertikalen Reaktorkammern (oder EDACs). Jeder EDAC ist mit einer Reihe von Mehrfachquellen-RF/DC und entfernten Plasmageneratoren für vertikales Ätzen/Aschen sowie einer Elektronenzyklotronresonanzquelle (ECR) für horizontale Ätz-/Ascheanwendungen ausgestattet. Das Gerät ist mit zwei Gasversorgungsleitungen zu jedem EDAC ausgestattet, so dass eine breite Palette von Gasen für verschiedene Anwendungen verwendet werden kann. Telius 305 DRM ist aufgrund seiner präzisen Kontrollzonen-Plasmen in der Lage, sehr hochwertige Planarisierungsflächen mit überlegener Spaltfüllfähigkeit und minimaler Rückstandserzeugung herzustellen. Die Maschine ist auch in der Lage, sehr saubere Mulden mit ungleichmäßigen spaltfreien Profilen auch über hohe Seitenverhältnisse herzustellen. Damit eignet sich TEL/TOKYO ELECTRON Telius 305 DRM besonders gut zum Ätzen und Aschen verschiedener Materialien wie Photoresist, Siliziumwafer, III-V-Halbleiter und Polymere. TEL Telius 305 DRM verfügt über ein geringes thermisches Budget und erzeugt nur eine minimale thermische Belastung des Materials, so dass es für fortgeschrittenes dielektrisches Ätzen/Aschen mit niedrigen k geeignet ist. Dieses Werkzeug hat auch einen außergewöhnlich hohen Durchsatz aufgrund seiner einzigartigen Zwei-Kammer-Architektur, die das gleichzeitige Ätzen und Aschen von mehreren Wafern ermöglicht. TOKYO ELECTRON Telius 305 DRM bietet auch sehr hohe Prozessgleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit, und seine beispiellose Lückenfüllung ermöglicht es, auch Schichten über Spaltgrößen bis zu 0,2 Mikrometer planarisieren zu können. Telius 305 DRM eignet sich hervorragend für das Hochplanarisierungsätzen und -veraschen einer breiten Palette von Substraten, und seine besonders fortschrittlichen Fähigkeiten machen es zu einer idealen Wahl für modernes Low-K-dielektrisches Aschen/Ätzen. Seine breite Palette von Merkmalen, einschließlich präziser Temperaturregelung, und hoher Durchsatz und Prozessgleichmäßigkeit machen es zu einem ausgezeichneten Gerät zum Ätzen und Aschen einer Vielzahl von Materialien.