Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9357266 zu verkaufen

TEL / TOKYO ELECTRON Trias
ID: 9357266
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2006
CVD System, 12" Process: BL GL Ti Dep BROOKS AUTOMATİON TLG-LON Load port, (3) FOUPs SHINKO SELOP12F25-30A-13 SHINKO SBX92101286-3 FI Robot FUJI M-UPS050J22L-UL UPS SANEI GIKEN TL7KCPVB-2P Chiller MPD Transformer box Mainframe: YASKAWA XU-RVM4100 Buffer robot V TEX I-I-98009-2-1 LLM1.2 Gate valve KITZ DOUBLE ACTION Chamber gate valve Process chambers: PM1, PM2, PM3, PM4 Single wafer chamber With stage heater RKC INSTRUMENT INC Module heater controller TEL TMC2001 Module heater controller Column trap KYOSAN HFK15Z-TW1 RF Generator KYOSAN EAKIT RF Matcher VERIFLO SQ-MICRO-602PUPGPA Regulator LEYBOLD TSR211S Pirani sensor INFICON VSA100A Pressure Sensor MKS 626A01TDE Capacitance manometer LEYBOLD CDG160A-S 1330PA Capacitance manometer (1333Pa) LEYBOLD CDG160A-S 133PA Capacitance manometer (133KPa) STEC VC131004ST20 Vaporizer (TiCL4) Gases: Gas / Make / Model / Valve MFC2 / ClF3 / SAM / SFC1470FA / 500 SCCM MFC5 / Ar / SAM / SFC1480FA / 5 SLM MFC6 / H2 / SAM / SFC1481FA / 300 SCCM MFC7 / NH3 / SAM / SFC1480FAPD / 0.6/2 SLM MFC8 / N2 / SAM / SFC1480A / 2 SLM MFM / TiCl4 / STEC / SEF-8240 / 20 SCCM 2006 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias ist ein Ätzer/Ascher, der bei der Mikroherstellung von Halbleitermaterialien verwendet wird. Das Gerät verwendet ein plasmaverstärktes Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung (PECVD), um dünne Materialschichten auf die Substratoberfläche abzuscheiden. Die Anlage arbeitet im Vakuum unter Verwendung einer Gasquelle, die in der Plasmakammer abgebrannt wird, um einen Film aus dem gewünschten Material mit kontrollierter Dicke zu bilden. Der Ätzer/Ascher bietet zudem eine hohe Selektivitätsrate, die ein präzises Ätzen der Abscheidungsschichten ermöglicht und eine äußerst präzise Herstellung von Halbleitermaterialmerkmalen ermöglicht. Dies wird erreicht, indem aus getrennten Gasleitungen ein breites Spektrum von Gasen in die Kammer emittiert wird. TEL Trias' RF Generator erzeugt ein Hochfrequenzsignal zur Erzeugung von Plasma aus dem Gas, das dann auf die Substratoberfläche gerichtet wird. TOKYO ELECTRON Trias bietet auch einen Ätzprozess, der ein zweistufiges System verwendet. Ein Ätzgas wird durch die Kammer geleitet, zusammen mit einem reaktiven Gas, das die notwendigen Spezies liefert, um das Ätzprodukt zu erzeugen. Dabei arbeitet die Kammer unter vermindertem Atmosphärendruck (weniger als 100 mtorr) und von den Kammerwänden weg, was dazu beiträgt, das Plasma auf einer optimalen Temperatur zu halten. Darüber hinaus ist Trias Ätzer/Ascher in der Lage, den Ätzprozess genau zu steuern, um eine hohe Genauigkeit und Gleichmäßigkeit zu erreichen. Das Gerät bietet eine Vielzahl von Funktionen, wie Programm-Erfolgsbericht und Prozess-Monitoring-System, um reproduzierbare Ätz- und Ablagerungseigenschaften zu gewährleisten. Dies ist von größter Bedeutung, da dadurch sichergestellt wird, dass jedes Gerät höchste Qualität produziert. Darüber hinaus ist der HF-Generator mit einem 3D-HF-Generator gekoppelt, der eine effektive Kompensation der ungleichmäßigen Abscheidung durch Waferbelastung, Ausrichtung und Wafertemperaturbedingungen ermöglicht. Dadurch werden einheitliche Ätz- und Abscheideprozesse gewährleistet, die bei der Herstellung von mikroelektronischen Qualitäts-Bauelementen wesentlich sind. Insgesamt ist TEL/TOKYO ELECTRON Trias äußerst nützlich für eine Vielzahl von Ätz- und Abscheidungsanwendungen. Seine fortschrittlichen Eigenschaften und einfache Bedienung ermöglichen eine präzise Herstellung von Halbleiterbauelementen in einer kontrollierten Umgebung. Dank seines intuitiven Layouts und seiner Fähigkeiten ist TEL Trias ein unverzichtbares Werkzeug in der heutigen modernen Mikrofabrikationsbranche.
Es liegen noch keine Bewertungen vor