Gebraucht TEPLA 100E #293818190 zu verkaufen
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ID: 293818190
Microwave downstream plasma system
Chamber: 150 mm diameter, 120 mm deep
Lit: 150 mm diameter, 100 mm deep
Power in: 240 Volts
Power out: 400W max
Gas inlet: 2 manual regulated
Pump outlet: KF16
Dimensions: 550mmx400mmx470mm.
TEPLA 100E ist ein modernes Ätz-/Aschergerät, das fortschrittliche Verarbeitungsfunktionen für verschiedene Anwendungen in der Halbleiter-, MEM- und Nanotechnologie-Industrie bietet. Entwickelt von TEPLA AG, einem führenden Anbieter von Plasmabearbeitungsanlagen, ist 100E darauf ausgelegt, den Anforderungen an hochpräzise Ätz- und Ascheprozesse mit außergewöhnlicher Leistung und Zuverlässigkeit gerecht zu werden. Im Zentrum von TEPLA 100E steht die ausgeklügelte Plasmaätztechnologie, die eine präzise Materialabtragung und Oberflächenmodifizierung auf nanoskaliger Ebene ermöglicht. Das System ist mit einer hochdichten Plasmaquelle ausgestattet, die gleichmäßige Plasmabedingungen über die Bearbeitungskammer erzeugt, um konsistente Ätzergebnisse und eine verbesserte Prozesswiederholbarkeit zu gewährleisten. Dieses Merkmal ist entscheidend für die Erzielung hochwertiger geätzter Muster mit enger Maßregelung und minimaler Variation. 100E bietet eine breite Palette von Prozessgasen, darunter reaktive Gase wie Sauerstoff, Fluor und Chlor sowie inerte Gase wie Argon und Helium. Diese Vielseitigkeit ermöglicht es Anwendern, die Ätzchemie an die spezifischen Anforderungen ihres Geräteherstellungsprozesses anzupassen und so eine optimale Selektivität, Ätzrate und Profilkontrolle zu erreichen. Mit präzisen Durchflussregelungs- und Druckregulierungsfunktionen gewährleistet TEPLA 100E eine genaue und reproduzierbare Gaslieferung für konsistente Prozessleistung. Neben seinen Ätzfähigkeiten können 100E auch als Ascher für Photoresist-Stripp- und Oberflächenreinigungsanwendungen fungieren. Der Aschevorgang der Einheit ist sehr effektiv, um organische Verunreinigungen und Rückstände von Waferoberflächen zu entfernen, wodurch die Gesamtqualität und Zuverlässigkeit der Halbleiterbauelemente verbessert wird. Durch die Verwendung einer Kombination aus Plasmachemie und thermischer Energie kann TEPLA 100E eine schnelle und gründliche Ausrüstung verschiedener organischer Materialien erreichen, ohne das darunter liegende Substrat zu beschädigen. 100E ist mit fortschrittlichen Prozessüberwachungs- und Steuerungsfunktionen ausgestattet, die eine Echtzeit-Charakterisierung und Anpassung der Ätz-/Ascheprozessparameter ermöglichen. Die Maschine ist mit einer benutzerfreundlichen Schnittstelle integriert, die es dem Bediener ermöglicht, wichtige Prozessparameter wie Plasmaleistung, Gasflussraten, Druck und Temperatur zu überwachen und ihnen wertvolle Einblicke in die Prozessdynamik und -leistung zu verschaffen. Darüber hinaus ist TEPLA 100E in der Lage, Prozessrezepte zu speichern und mehrstufige Sequenzen aufzunehmen, um komplexe Prozessabläufe zu erleichtern und konsistente Ergebnisse über mehrere Läufe hinweg zu gewährleisten. Einer der Hauptvorteile von 100E ist seine Skalierbarkeit und Flexibilität, so dass Benutzer die Werkzeugkonfiguration an ihre spezifischen Bearbeitungsanforderungen anpassen können. Die Anlage kann mit einer Vielzahl von Wafer-Handhabungsoptionen ausgestattet werden, von der manuellen Beladung bis zur vollautomatischen Roboterhandhabung, um verschiedene Substratgrößen und -formen unterzubringen. Darüber hinaus können TEPLA 100E in Clusterwerkzeuge und Produktionslinien für nahtlosen Wafertransport und Inline-Verarbeitung integriert werden, was eine Hochdurchsatzfertigung und Prozessautomatisierung ermöglicht. Insgesamt stellt 100E eine hochmoderne Lösung für Ätz- und Ascheanwendungen in der fortschrittlichen Halbleiter- und MEMS-Fertigung dar. Mit modernster Plasmatechnologie, vielseitigen Prozessfähigkeiten und robuster Leistung eignet sich TEPLA 100E bestens für ein breites Spektrum an Forschungs- und Produktionsumgebungen, die hochpräzise und zuverlässige Plasmabearbeitungslösungen erfordern.
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