Gebraucht BOC EDWARDS Zenith III/V #151206 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 151206
MOCVD AIXTRON scrubber
Electrical supply:
Voltage: 208V
Phases: 3
Frequency: 60Hz
Conductor size required: 6 mm^2
Maximum current consumption:
iH80 pump: 14.6A
QMB500F pump: 8.8A
TPU: 20A
Circuit breaker ratings (system control unit):
CB1: 6A
CB2: 6A
CB3: 10A
CB4: 6A
Fuse ratings (system control unit):
F1: 3.15A
F2:
F3:
F4: 3.15A (5V DC)
F5: 1A (12V DC)
F6: 3.5A (24V DC)
Conductor colors used:
> 100V: black
AC line neutral: white
24V AC: red
24V AC return: white
24V DC positive: violet
24V DC negative: brown
Signal return: pink
Earth (ground): green / yellow
Earth (ground) leakage circuit breaker: 30mA
Fuel gas flow:
Fuel gas:
Type: Methane
Calorific value: 36.9 to 42.3 MJ/min^3, 972 to 1114 BTU/s ft^3
Supply pressure: 1 to 10 psi, 0.07 to 0.7 bar
Flow rate: 37 L/min
Nitrogen:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate:
Into the TPU: 15 L/min
Into the pumping system: 50 L/min
Compressed dry air:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate (for each TPU inlet): 30 L/min.
BOC EDWARDS Zenith III/V ist eine vielseitige Plasmaätzanlage mit offener Architektur, die für eine Vielzahl von hochpräzisen Anwendungen wie die Herstellung mikroelektronischer Bauelemente, MEMS-Bauelemente, Halbleiterscheiben und verschiedene andere Dünnschichtmaterialien entwickelt wurde. Dieses Ätzsystem ist hochgradig konfigurierbar und kann auf eine Vielzahl von Prozessen zugeschnitten werden. Das Gerät verfügt über ein enges Gehäuse und wurde entwickelt, um die Sicherheit und Effizienz während des Betriebs zu maximieren. Es ist mit drei unabhängig gesteuerten Prozesskammern ausgestattet; die Hauptkammer zum Plasmaätzen, eine optionale UVA/N2O Kammer zum Aschen und eine CVD Kammer zum Sputterabscheiden. BOC EDWARDS Zenith III/V besteht aus zwei Hauptkomponenten: dem Prozesskammerschrank und der Steuereinheit. Der Kammerschrank hat viele Merkmale und Komponenten, wie die Plasmaätzkammer, Trockenätzkammer, entfernte Plasmaquelle, Gleichstromversorgungen, Substrathalter und Gaszuführsysteme. Die Steuereinheit grenzt mit dem Prozesskammerschrank zusammen und bietet eine Vielzahl von Funktionen, darunter Prozessparametersteuerung, Datenerfassung und -analyse sowie eine benutzerfreundliche grafische Oberfläche. BOC EDWARDS Zenith III/V verfügt über einen Niederdruck-Plasmaätzprozess, der eine hohe Kontrolle und Reproduzierbarkeit der Ätzung ermöglicht. Das Verfahren wird in der Ätzkammer durchgeführt und von einer Fernquelle angetrieben. Der Ätzvorgang wird über die Steuereinheit gesteuert und kann für eine Vielzahl von Parametern wie Druck, Zeit, Temperatur und Anzeige konfiguriert werden. Die optionale UVA/N2O Kammer ist für Aschvorgänge ausgelegt und nutzt ultraviolette Strahlung, um selektiv organische Verbindungen von der Oberfläche zu entfernen. Diese Kammer wird auch von einer eigenen Fernquelle angetrieben, wodurch ein isolierter Prozess von der Ätzkammer gewährleistet ist. Die CVD-Kammer wird zur Sputterabscheidung verwendet, eine Technik, die dünne Filme aus Metall oder anderen Materialien auf einem Substrat erzeugt. Die Kammer ist mit mehreren Merkmalen ausgestattet, einschließlich Temperaturregelung, Druckregelung und die Fähigkeit, Ionisationsstrom einzustellen. BOC EDWARDS Zenith III/V ist eine fortschrittliche und vielseitige Plasmaätzmaschine, die für eine Vielzahl von hochpräzisen Anwendungen geeignet ist. Es bietet ein hohes Maß an Prozesskontrolle, qualitativ hochwertige Ergebnisse und ist auf verbesserte Sicherheit und Effizienz ausgelegt. Es eignet sich gut für eine Vielzahl von Dünnschichtanwendungen in der Mikroelektronik, MEMS-Geräteherstellung und Halbleiterscheiben.
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