Gebraucht NISSIN Exceed 2000 #9223171 zu verkaufen
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ID: 9223171
Wafergröße: 3"-4"
Weinlese: 1997
Medium current ion implanter, 3"-4"
PN: E95-3005
Energy range: 10-200 kV
(4) Cassette stages
(2) Loadlocks: Left and right
(2) Orienters: Auto-flat / Notch find
Ion source chamber
Beamline chamber
End station chamber
Pumps:
Dry pumps:
Make / Model / Class
ALCATEL / Drytel 34C / Load / Lock (DP-4), 450 L/sec
ALCATEL / Drytel 31 / Target chamber (DP-3), 450 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / F.E.M (DP-2), 1500 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / S.A.M / lon source (DP-1), 1500 L/sec
Turbo pumps:
Make / Model / Class
SHIMADZU / TMP51G / Load / lock (TP 4 and 5), 55 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / F.E.M (TP-3), 800 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / S.A.M (TP-1 and 2), 800 L/sec
Cryo pumps:
Make / Model / Class
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Target chamber (CP-2), 4000 L/sec
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Collimator (CP-1), 4000 L/sec
DAIKIN U110CW Compressor
Process gas:
SiF4 (0.35L): 200 keV, Si+200 µA - 20 µA, SI++ 20 µA - 5 µA, 5E12
Ar (0.35L): 200 keV, 1000 µA, 5E12
High voltage range:
Extraction power supply: 0 keV - 70 keV
Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV
Power supplies (Assembly):
Arc
Filament
SAM
ACC
DEC
Focus
TRIM-Q
FEM
Column
DC / AMP
Faraday suppression
ISO TX 160 kV
HV Stack 160 kV
Controllers (Assembly): BSM, FEM, P/C, SAM, W/C, WFC, V/C, I/C, O/F, TQ, T/C, I/G, T/P
Utilities:
Air: 100-150 PSI
N2: 40-150 PSI
Cooling water: 60-150 PSI
Temperature: 4°C - 21°C
Operating system: Windows XP
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 65 kVA
1997 vintage.
NISSIN Exceed 2000 ist ein fortschrittlicher Ionenimplantator und Monitor für die Hochleistungs-Halbleiterherstellung. Dieses Gerät verwendet modernste Elektronik, Sensoren und Steuerungssysteme, um Ionen präzise in eine Reihe von Materialien zu implantieren, was zu konsistenter, einheitlicher und wiederholbarer Produktqualität führt. Das System bietet eine breite Palette von Implantationsparametern, die leicht an spezifische Konstruktions- und Prozessanforderungen angepasst werden können. Die primäre Funktion der Einheit ist die Durchführung der Ionenimplantation. Durch die Verwendung einer Vielzahl von Implantationsparametern, wie Ionenarten, Implantationstiefe, Implantationswinkel, Strahlenergie und viele andere Parameter, ist der Benutzer in der Lage, die Implantate an die gewünschte Anwendung anzupassen. Die Maschine ermöglicht es auch, mehrere anpassbare Programme zu speichern, um Zeit zu sparen und die Rüstzeit zu minimieren. Der Monitor ist ein integrierter Bestandteil des Werkzeugs, der den Prozesszustand und die aktuellen Parameter während des Implantationsprozesses überwacht. Dieser Monitor ist eine entscheidende Komponente, um sicherzustellen, dass die richtigen Implantationsparameter während des gesamten Prozesses eingehalten werden. Der Monitor bietet auch Echtzeit-Feedback auf die Dosis- und Toleranzfehler für eine verbesserte Kontrolle. Die Anlage ist äußerst zuverlässig und wiederholbar und eignet sich somit ideal für die Produktion von Prozessanforderungen mit hohem Volumen und breitem Spektrum. Sein robustes und automatisiertes Design sorgt dafür, dass selbst anspruchsvollste Anwendungen mit gleichbleibender Qualität und Wiederholbarkeit bewältigt werden können. Über 2000 bietet Anwendern ein zuverlässiges und wiederholbares automatisiertes Implantationsmodell mit mehreren anpassbaren Parametern. Es wurde entwickelt, um die anspruchsvollsten Anforderungen in der Halbleiterherstellung zu erfüllen und ist eine ideale Wahl für die industrielle Produktion. Der integrierte Monitor des Geräts trägt dazu bei, dass die Implantationsparameter während des gesamten Prozesses konstant beibehalten werden, um die Produktqualität zu verbessern.
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