Gebraucht NISSIN NH-20SR #293776330 zu verkaufen

ID: 293776330
Wafergröße: 6"
Weinlese: 1989
Implanter, 6" Hard Disc Drive (HDD) 1989 vintage.
NISSIN NH-20SR ist ein Hochleistungs-Ionen-Implantierer und -Monitor für die Herstellung von Halbleiterbauelementen. Es ist in der Lage, Dotierstoffe wie Bor, Phosphor und Arsen sowie andere Materialien in einen Siliziumwafer mit einer hohen Probenrate und ausgezeichneter Präzision zu implantieren. NISSIN NH 20SR verwendet Ionenstrahlbeschuss, um Dotierungsionen in die Gitterstruktur des Zielmaterials zu treiben, was eine genaue Kontrolle der Menge und Verteilung von Dotierungselementen im Material ermöglicht. NH-20SR bietet eine breite Palette von Implantationen mit einem Implantationsenergiebereich von 1 keV bis 250 keV. Dies ermöglicht Flexibilität in Dotierungsschichten von Niedertemperatur- bis zu Ultraflächenverbindungsprozessen. Es bietet auch sehr hohe Präzisionsimplantationen mit einer Genauigkeit von ± 1% in der Ionenzählerinterpolation und ± 3% in der Ionenenergieverteilung. Dies ermöglicht Präzisionsinvasionen auch in sehr enge Geometrien. NH 20SR verfügt über ein umfassendes Überwachungssystem mit einem Hochgeschwindigkeits-Scan-Controller, der aktuelle Position, Scan-Rate und gesamten Scan-Bereich für die maximale Dauer jedes Implantationszyklus erfasst. Dadurch können Fehler leichter erkannt und rechtzeitig korrigiert werden. Darüber hinaus bietet das System optionale Co-Extraktions- und Beam-Dumping-Funktionen, um einen reibungsloseren und gleichmäßigen Implantierungsprozess zu ermöglichen. NISSIN NH-20SR verfügt zudem über eine integrierte Vorbeschleunigung, die die Ionen in den gewünschten Energiebereich bringt, bevor sie in das Zielmaterial gelangen. Dadurch wird die Genauigkeit und Wiederholbarkeit der Dotierung in präzise Schichten gewährleistet. NISSIN NH 20SR ist einer der effizientesten und zuverlässigsten Ionenimplantatoren und Monitore auf dem Markt. Es ist einfach zu bedienen und zu warten und wird mit einer zweijährigen Garantie gegen Material- und Verarbeitungsfehler geliefert. Aus diesen Gründen ist es eine gute Möglichkeit für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.
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