Gebraucht SEN / SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3 #9283246 zu verkaufen
Es sieht so aus, als ob dieser Artikel bereits verkauft wurde. Überprüfen Sie ähnliche Produkte unten oder kontaktieren Sie uns und unser erfahrenes Team wird es für Sie finden.
Tippen Sie auf Zoom
![Loading](/img/loader.gif)
Verkauft
ID: 9283246
Wafergröße: 12"
High energy implanter, 12"
(4) FOUP
Energy range: 10 KeV to 3750 KeV with RTEM (Real Time Energy Monitoring Capability)
UPS: MUF3051-BL
Mass analysis magnet and power supply
Inject flag faraday
Power supply: 3 kW 13.56 MHz
High voltage beacon
Does not include Hard Disk Drive (HDD)
Liner accelerator:
(12) High energy resonator cavities
(14) Quadrupole
Quadrupole lens and power supply
Final energy magnet and power supply
Resolving faraday
Continuous variable aperature
End station wafer handling:
In-air / In-vacuum high throughput wafer handling system
Sub-class 1, ULPA filtered wafer handling area
Automatic notch alignment capability with buffer cassette
Integrated "dummy wafer fill-in capability
Slot to slot wafer integrity
End station disk:
Two axis variable implant angle
(13) Wafers process disk with direct, 12"
End station dose control:
Real time patented dose control
End station robot: SEN MACOROB 300
End station option:
Valved RGA Port on end station resolving
Valved RGA Port on disk module
Faraday burn through sense
Facilities utilities:
Feed from bottom
Feed gas box exhaust from top
Facilities cable:
Remote cryo pump compressor cable
Remote disk chiller cable
Facilities:
Main PD assembly
Signal tower light assy
(4) Light CE
Fire safety kit:
Smoke detector
VESDA
60 Hz Standard
Gas box exhaust needs to feed from top
High voltage warning display - English
Gas box:
Gas 1 type Gas box gas type position Ar with HP
Gas 2 type Gas box gas type position BF3 with SDS
Gas 3 type Gas box gas type position BF3 with SDS
Gas 4 type Gas box gas type position PH3 with SDS
Gas 5 type Gas box gas type position PH3 with SDS
MFC2 Unit 8160 10 ccm
MFC3 Unit 8162 5 ccm
MFC4 Unit 8162 10 ccm
MFC5 Unit 8162 10 ccm
Remote rack:
SEN chiller
Heater exchange from FAC
Service PC X-terminal
Door Bypass Switch:
Source head: ELS
3-AXIS Extraction electrode:
Vacuum Cryopump CP2 BROOKS OB-8
Vacuum Cryopump CP3 BROOKS OB-10
Vacuum Cryopump CP7 BROOKS OB-250F
Vacuum Cryopump CP8 BROOKS OB-250F
Vacuum STP-2203C TP1
Vacuum STP-A803C TP4
Vacuum STP-A1303C TP5
Vacuum STP-A803C TP10
Vacuum STP-A1303C TP11
Vacuum STP-A803C TP12
Manuals included.
SEN. / SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3 ist ein energiereiches Hochleistungsion implanter mit der Monitortechnologie. Dieses Gerät ist in der Lage, eine kontrollierte und effiziente Implantation von schweren Ionen wie Arsen, Gallium und Indium anzubieten, die in der Halbleiterherstellung verwendet werden. Dieser Implantierer bietet auch ultrapräzise Präzision mit extrem schneller Hochspannungsumschaltung für präzise Implantationssteuerung. SEN NV-GSD-HE3 kann eine breite Palette von Materialien akzeptieren, darunter metallische und anorganische Materialien, sowie andere Verbindungen und Substrate. Es ermöglicht eine hochpräzise Ionenbeschleunigung und Strahlsteuerung mit einem breiten Spektrum an Energie- und Dosiseinstellungen. Das Gerät verfügt über ein ergonomisches Design für maximale Effizienz und Sicherheit. Das Gerät ist mit einem fortschrittlichen Strahlüberwachungssystem ausgestattet, das hochpräzise Detektoren zur Detektion von Strahldrift und Verschmutzung verwendet. Diese Funktion sorgt für eine hochwertige Implantation von Materialien. Dieses Gerät verfügt über eine hochpräzise Ionenquelle, eine hochgenaue Strahloptik, einen präzisen Strahltransport und eine hochpräzise UV-Optik. Es ist aus hochwertigen Materialien für Haltbarkeit und hohe Leistung gebaut. Das Gerät bietet eine präzise Kontrolle über die Mengen und Orte von Ionen, die für eine hochgenaue Ionenimplantation freigesetzt werden. Eines der einzigartigsten Merkmale von SUMITOMO EATON NOVA NV GSD-HE3 ist seine Fähigkeit, die Dosis des Strahls in Echtzeit direkt zu messen. Diese Technologie und Kapazität ermöglicht es Benutzern, Anpassungen an ihren Einstellungen vorzunehmen, wie sie die Ausgabe des Elektronenstroms ihres Retikels ändern. Das Gerät verfügt zudem über eine höhere Durchsatzrate, was die Produktivität erhöht. Darüber hinaus bietet dieses Gerät eine Regelung der Rückkopplung, mit der Benutzer die Strahlbewegungsgeschwindigkeit mit hoher Genauigkeit einstellen können. Die Vorrichtung kann auch mit einer breiten Palette von Mustergeneratoren für verschiedene Arten von Implantaten, wie Linien-, Gleich- und Formimplantation verwendet werden. Die Vorrichtung ist für eine Vielzahl von Anwendungen ausgelegt, darunter die Behandlung von Halbleiterscheiben, das Glühen von anorganischem Material und die Herstellung von Substratfilmen. Es kann auch zur Herstellung dünner Filme und zur Steuerung der Implantation von schweren Ionen und Ladungsaustauschelementen verwendet werden. NV GSD-HE3 bietet hochentwickelte Implantationstechnologie und Leistung in einem sicheren und einfach zu bedienenden Paket. Dieses Gerät ist ideal für eine Vielzahl von Implantations- und Verarbeitungsanwendungen und bietet hochgenaue, zuverlässige und wiederholbare Implantationen. Dieses zuverlässige und vielseitige Gerät bietet gleichbleibende Leistung, Sicherheit und Effizienz bei der Implantation von schweren Ionen und anderen Materialien.
Es liegen noch keine Bewertungen vor