Gebraucht VARIAN E1000 #145999 zu verkaufen

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ID: 145999
Ion implanter, 8" Maximum beam energy: 200kV Facilities: Electrical: 380-460V, 3-phase, 4-wire, 50kVA 100A Main CB, 18,000 IC, 60Hz 25A Max single load Water: Inlet pressure: 40 to 100 psi (275.8 to 689.5 kPa) Pressure drop: 40 psi (275.8 kPa) Flow rate: 18 gpm minimum (68.1 L/min) Inlet temperature range: 50 to 68°F (10 to 20°C) Nitrogen pressure range: 50 to 100 psi (334.7 to 689.5 kPa) Air pressure range range: 100 to 125 psi (689.5 to 861.8 kPa) Exhaust: Flow rate: 1,200 cfm minimum (34.0 m^3/min) Pressure drop: 1.5 in H2O (373.36 Pa) Tool shutdown Q1 2009 Currently installed and located in cleanroom in fab 1997 vintage.
VARIAN E1000 Ionenimplantator und -monitor ist ein Hochleistungs-Ionenimplantator und -monitor von VARIAN Semiconductor Equipment. Die Vorrichtung ist dazu ausgelegt, Dotierstoffe und andere Ionen in Halbleiterchips und Materialien zu implantieren, um die elektrischen Eigenschaften des Materials zu verbessern. Es wird häufig zum Dotieren von Silizium-Wafern verwendet, um Chips und Komponenten herzustellen. VARIAN E-1000 Ionenimplantierer verfügt über eine breite Palette von Funktionen, einschließlich fortschrittlicher Strahlstrom- und Energiesteuerung, fortschrittlicher Winkelkontrolle, fortschrittlicher Raumladungskompensation und Advanced End-of-Run (EOR) -Technologie. E 1000 hat einen Energiebereich von bis zu 30 keV, mit einer schnellen Anstiegs-/Abfallzeit, die eine schnelle Verstellbarkeit der Schaltbreite ermöglicht. VARIAN E 1000 bietet auch eine bordeigene Trägerkammer, um die Anzahl der Bauteilkammerwechsel zu minimieren. E-1000 hat eine hohe Dosisrate und bietet bis zu 250mA/cm2 innerhalb von 200 ms nach Beginn des Laufs. Diese hohe Dosisrate in Kombination mit der Advanced End-of-Run-Technologie ermöglicht die Erzielung einheitlicher Dosisverteilungen in allen Prozesszellen und verbessert so die Einheitlichkeit des gesamten Prozesses. E1000 können mehrere Strukturen in einem einzigen Lauf passivieren, sowie mehrstufige Strukturen, die einheitliche, nominell geformte Dosisverteilungen liefern. VARIAN E1000 wurde auch entworfen, um up-time und Durchsatz zu maximieren. Automatisierte Werkzeugqualifikationsprüfungen können vor der Waferbearbeitung durchgeführt werden und die Schnellstrahlumschaltung ermöglicht einen schnellen Wechsel vom Implantat zum Implantat. Die fortschrittliche Strahlabstimmung und -kontrolle von VARIAN E-1000 sowie die fortschrittliche Raumabgleichung und erweiterte Winkelkontrolle ermöglichen eine präzisere Implantation als je zuvor. Neben den Vorteilen der schnellen Verarbeitung und präziser Implantate bietet E 1000 auch eine interaktive, grafische Benutzeroberfläche zur Vereinfachung der Bedienung und Überwachung von Wafer-Implantaten. Diese Benutzeroberfläche ermöglicht es dem Bediener, schnell auf die Einstellungen von VARIAN E 1000 zuzugreifen und diese zu ändern und die Implantationsparameter an die Bedürfnisse des Kunden anzupassen. Insgesamt ist E-1000 Ionenimplantierer und -monitor ein fortschrittliches, leistungsstarkes Werkzeug, um Dotierstoffe und andere Ionen in Halbleiterchips und -materialien zu implantieren und zu überwachen. Es ist in der Lage, präzise und einheitliche Implantate in einer Vielzahl von Prozesszellen zu liefern, so dass eine effiziente Chipherstellung möglich ist. Mit seiner benutzerfreundlichen Oberfläche, dem schnellen Umschalten zwischen Implantationsparametern und automatisierten Werkzeugqualifikationsprüfungen können E1000 die Produktionszeit und den Durchsatz maximieren.
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