Gebraucht VARIAN E1000HP #9232479 zu verkaufen
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ID: 9232479
Wafergröße: 8"
High current implanter, 8"
Enhance type
Carriage motor type: N6 Motor
Turbo (VT250) end station pump
High-pressure gas
EDWARDS QDP80 Terminal dry pump
EDWARDS QDP80 Chamber dry pump
VARIAN V1800 Source turbo pump
(4) CTI 250F Chamber cryo pumps
Chamber cryo pump option
Main power / Frequency: 280 PD / 208 PD
Auto top utility supply
Type: PFG
Cusp source assy
Type: Hook site
Y2K Completion
Hi-voltage probe
Signal tower
Energy:
Operational: 2 ~ 200 keV
B+: 10~200 keV, As+
P+: 40~200 keV
Stability: ±10% After warm up
Dopant species: 11B+, 49BF₂+, 75As+, 31P+, 121Sb+
Implant dose accuracy:
Specification range: 5E11-5E16
Uniformity (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.5%
Repeatability (At 7° Tilt angle): 1δ ≤0.7%
Wafer charge neutralization:
Plasma flood gun with interlocks on current
Gas flow rate & beam spot size
Wafer handling:
Horizontal loading
Slot-to-slot integrity
Backside pick and place
(75) Wafer loads
(3) Independent vacuum load locks
Dummy wafer handling capability
Throughput:
Mechanical Limit/30 sec implant at 7° tilt
1D Profiler (Wafer per hour): 230 / 210
Wafers per disc: 18 / 13
Process angles:
Tilt: +7 / -7°
Twist: 0°-360° ±2°
Automatic recipe control
Wafer cooling: ≤100° C at 3000 Watts
Wafer breaks: 1:20,000
Particulate control:
≥0.2 um Particles
≤0.15 Added per cm² (Mean value)
Utility:
N2: 50~100 psi
Size: 3/8" NPT
Air: 90~125 psi
Size: 3/8" NPT
PCW: 40~100 psi (In/Out)
Size: 3/4" NPT
Temperature: 10~20° C
Exhaust:
Toxic: 34000
PVC, 5"
(2) PVC, 8"
NW40
Power: 460/445/415/380 V, 65/70/75/80 kVA, 3 Phase, 4 wires.
VARIAN E1000HP ist ein Ionenimplantator und -monitor, der entwickelt wurde, um der Halbleiterindustrie präzise und zuverlässige Ionenimplantationsdienste zu bieten. VARIAN E1000 HP ist ein hochgenaues, vollautomatisches System, das eine Vielzahl von Substraten wie Si und SiGe verarbeiten kann. Es ist so konzipiert, dass es eine hochpräzise Kontrolle über die Menge an Ionendosen, Strahlwinkel und Ionenenergie während des Implantatprozesses ermöglicht. E-1000 HP ist mit einer Ionenquelle ausgestattet, die Ionenstrahlen verschiedener Energien erzeugen kann. Es verfügt auch über eine Vakuumkammer, die hohen Druckgeschwindigkeiten standhalten kann, so dass es für eine Vielzahl von Implantationstechniken geeignet ist. Die Kammer umfasst einen umschlossenen Zielbereich, der gegen Strahlenbelastung geschützt ist und die Zieloberfläche möglicherweise beschädigt. Das System verfügt auch über einen erweiterten Ionenstrahlmonitor, der in der Lage ist, die Strahlposition, Größe, Strom und eine Reihe von Strahlparametern zu messen, die die Optimierung des Implantatprozesses ermöglichen. Es enthält auch einen oben montierten Positionierer, mit dem Benutzer das Substrat genau im Zielbereich platzieren können. Darüber hinaus enthält E1000HP einen zuverlässigen HF-Generator, der sowohl nieder- als auch hochfrequente Leistung für die Ionenbeschleunigung erzeugen kann. Es hat auch eine fortgeschrittene Fokussierlinse, die in der Lage ist, eine konstante Ionenstrahlgröße zu halten. Darüber hinaus ist das Gerät mit einer Hochleistungs-HF-Quelle und einem dedizierten Monitor ausgestattet, mit dem Benutzer die Strahlenergie steuern und die Menge der Ionendosis überwachen können. Schließlich ist E1000 HP auf zuverlässige Leistung und Konsistenz ausgelegt. Es ist mit fortschrittlichen Sicherheitsfunktionen gebaut, die vor Strahlenbelastung schützen und die Bedienersicherheit während des Implantatprozesses gewährleisten. Das System ist auch einfach einzurichten und zu bedienen, so dass es ideal für eine breite Palette von Anwendungen.
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