Gebraucht VARIAN E500 #9085170 zu verkaufen

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ID: 9085170
Wafergröße: 6"
Weinlese: 2005
Medium current ion implanter, 6" Signal tower: front panel Production wafer qty: single wafer Platen type: M-clamp Load lock: Left, right (walkout sensor) System Vacuum: Ion source chamber Beam line chamber End station chamber Terminal dry: Ebara 4020 Source TMP: Seiko STP-1000C Source TMPC: Seiko STP-1000C Resol TPM: Seiko STP-301C Resol TMPC: Seiko STP-301 Beam line TMP: Seiko STP-1000C Beamline TMPC: missing Endstation C/P: CTI On-Board 10F Compressor: Suzuki Load lock TMP: Varian CTI100 Load lock TMPC: Varian CTI100 Endstation dry: Ebara 5020 + boost Process Gases: AsH3: SDS type, VCR 1/2" PH3: SDS type, VCR 1/2" BF3: SDS type, VCR 1/2" Ar(N2): DISS type, CGA 580 Power Supplies: Arc: 300VDC, 15A Filament: missing Source Magnet: 20V, 50A Extraction: missing Extraction suppression: missing Analyzer magnet: 40V, 125A (Max 150A) Mirror power supply: 30kV, 2.5mA (2) Quadrupole Magnet: 20V, 50A Scan generator: -30kV, 10mA Mirror: missing Dipole lens magnet: 40v, 125A (Max 150A) Acceleration: missing Acceleration suppression: -5kV, 5mA Acceleration stack: missing Controller: Left Arm Servo Right Arm Servo Vacuum gauge Scan faraday Platen tilt Servo Vertical lift orienter Uniformity Linear motor servo amp Orienter Left elevator Right elevator Dose integrator DI Temp Monitor Terminal PD DC PS: missing Options: Beam energy probe: yes 2_step beam reducer: not used Auto decel: missing Gas box type: HP (2 SDS bottles, insert) Soruth type: Bernas Faraday type: Varian scanning Faraday Vaporizer PS: none Utilities: Power: 208VAC, 3 phase, 5 wires, 43.2 KVA, 120 FLA Air: 100 ~ 150 PSI N2: 40 ~ 150 PSI Cooling water: 60~150 PSI, 4-21°C High Voltage Range: Extraction power supply: 0 keV - 70 keV Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV 1995 vintage.
VARIAN E500 ist ein Hochleistungs-Ionenimplantator und -monitor, der für eine Vielzahl von Ionenimplantationsanforderungen entwickelt wurde. Es nutzt eine platzsparende Stromversorgung aus einer Hand und kann Ionenstrahlenergien von 1 keV bis 10 keV handhaben. VARIAN E 500 verfügt über einen modularen Aufbau, der eine niedrige Energiegenauigkeit der Implantation mit hohem Ionenstrom kombiniert. Diese überlegene Flexibilität bietet maximale Produktivität für eine Vielzahl von Herstellungsvorgängen von Halbleiterbauelementen. Neben dem modularen Aufbau verfügt E-500 über die neueste Generation der VARIAN Tandem-Technologie und bietet eine hochpräzise, hocheffiziente Implantation von Ionen in verschiedene Wafergrößen und -materialien. Es verwendet eine hochentwickelte Tandemtechnologie, die verbesserte Strahlgleichförmigkeit, zeitliche Kontrolle und Genauigkeit schafft. VARIAN E- 500′s Steuergeräte verwenden die neuesten erweiterten VARIAN ACCeDirect (ActiveConfigured Control), die ein vollautomatisches Fehlerüberwachungssystem bieten. Mit der ACCeDirect-Einheit kann E 500 einfach durch verschiedene Sensoren überwacht werden, einschließlich Ende der Implantatüberwachung, sowie Strahlimpulsdauer und Strahlpositionierungsrückkopplung. Darüber hinaus bietet diese Maschine erweiterte Datenanalyse- und Steuerungsfunktionen, die die Gleichmäßigkeit und Präzision des Spitzenstrahls während des Produktionsprozesses unterstützen. E500′s Elektrowerkzeug verfügt über ein leistungsstarkes HF-Netzteil mit bis zu 10kW Strahlenergie. Dies in Kombination mit dem modularen Aufbau ermöglicht es, niederenergetische Ionen bei hohen Strömen zu implantieren. Dies hat VARIAN E500 in die Lage versetzt, signifikant niedrigere Dosisraten als die meisten anderen kommerziellen Ionenimplantatoren zu produzieren. VARIAN E 500 ist mit einem IEEE-488 Kommunikationsstandard gebaut, so dass es einfach in andere Arten von Produktionsanlagen integriert werden kann. Es wird auch von der Verpflichtung von VARIAN unterstützt, die höchste technische Unterstützung zu bieten. Insgesamt ist E-500 ein leistungsfähiger, aber hocheffizienter und benutzerfreundlicher Ionenimplantator und -monitor. Es bietet ausgezeichnete Implantationsfähigkeit und Produktivität mit einstellbaren Strahlenergien und Präzisionssteuerungsoptionen. Darüber hinaus ist es mit einer Vielzahl von Geräten kompatibel und bietet eine offene Architektur für eine einfache Integration in bestehende Produktionsprozesse. VARIAN E-500 ist eine ideale Lösung für jede Halbleiterherstellungsanlage, die einen Hochleistungs-Ionenimplantator auf Plasmabasis benötigt.
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