Gebraucht CANON MPA 600 FA #9144946 zu verkaufen

CANON MPA 600 FA
Hersteller
CANON
Modell
MPA 600 FA
ID: 9144946
Wafergröße: 6"
Aligners, 6".
CANON MPA 600 FA ist ein hochmoderner Masken-Aligner, der für die Photolithographie und Wafer-Musterung verwendet wird. Diese Art von Aligner ermöglicht die Erstellung präziser Muster für Halbleiterchips, MEMs, LEDs und nahezu alle Arten von Mikrofabrikation. CANON MPA600FA verfügt über eine Substratgröße von 320 mm, höchste optische Genauigkeit, hohe Auflösung, hohe Präzision und hohe Produktivität. Seine Geschwindigkeit wird auch aufgrund der hohen Genauigkeit seiner 5-Achsen-Bewegungssteuerung erhöht. Die hohe Präzision der Maschine sorgt dafür, dass die Muster in jedem einzelnen Schritt des Herstellungsprozesses genau repliziert werden können. Das 5-Achsen-Bewegungssteuerungssystem verbessert auch die Genauigkeit und liefert Echtzeit-Feedback für die Einstellung des Prozesses. Es ist mit einer proprietären diffraktiven optischen Element (DOE) Technologie für verbesserte Bildplatzierung Genauigkeit in der Photolithographie und Wafer-Musterung entworfen. Die DOE-Technologie verwendet einen Satz sehr präziser Optik, die dazu beitragen, Muster zu erstellen, die sehr genau von einem Wafer zum nächsten dupliziert werden können. MPA-600FA verfügt über einen hochauflösenden digitalen LCD-Farbmonitor, der dem Benutzer eine benutzerfreundliche Oberfläche zur Überwachung des gesamten Betriebs bietet. Zusätzlich kommt es mit einer integrierten Laserausrichteinheit für schnelle und genaue Substratplatzierung. Diese Maschine ermöglicht es dem Benutzer, das Chipmuster in einem einzigen Schritt an der Maske auszurichten und dann die Position des Musters mehrfach zu replizieren. MPA 600 FA kommt auch mit mehreren automatischen Funktionen einschließlich Mehrfachdurchlauf Scannen, Wellenlängenauswahl und Belichtungsoptimierung. Diese Funktionen verbessern die Gesamteffizienz und Präzision der Strukturierung. Insgesamt ermöglicht CANON MPA-600 FA die Mikrofertigung hochwertiger Mikromuster und erhöht den Durchsatz und die Genauigkeit von Photolithographie und Wafer-Mustern. Seine Eigenschaften machen es zu einer idealen Wahl für fortgeschrittene Photolithographie und Wafer-Musteranwendungen.
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